[发明专利]一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置和光刻机在审
申请号: | 202110130278.0 | 申请日: | 2021-01-29 |
公开(公告)号: | CN114815511A | 公开(公告)日: | 2022-07-29 |
发明(设计)人: | 金成昱;梁贤石;林锺吉;金在植;张成根;丁明正;刘强;贺晓彬;白国斌;刘金彪 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘广达 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 调节 狭缝 曝光 均匀 装置 光刻 | ||
本发明涉及一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置和光刻机,包括:校正模块,其位于狭缝式曝光带测量区域与狭缝式曝光带的相反侧,其中,狭缝式曝光带测量区域位于狭缝式曝光带的两侧;在所述校正模块和所述狭缝式曝光带测量区域之间,具有狭缝式曝光带控制区域,滤光板可移动至所述狭缝式曝光带控制区域中;其中,校正模块和滤光板在朝向所述曝光狭缝的方向上都是可移动的。通过可移动的校正模块和滤光板,控制滤光板在狭缝式曝光带控制区域移动改变光强和焦距,从而改善狭缝均匀性,最小化由于狭缝均匀性改变而产生的问题。通过对狭缝式曝光带均匀性的调整,能够精细的调整关键尺寸一致,从而提升产品的良率。
技术领域
本申请涉及半导体制造设备,具体涉及一种用于调节狭缝均匀性的装置和光刻机。
背景技术
由于半导体光刻设备中的照明装置(Illuminator)内部的光学元件表面(OpticsSurface)部位被污染,或表面膜层(Coating)的部分受损,使得光强(Intensity)和焦距(Focusing)发生改变,从而导致狭缝式曝光带均匀性的变化。狭缝式曝光带均匀性的变化会使图像发生扭曲或歪曲,导致晶圆无法形成正常的图形。
发明内容
针对上述存在的问题,本申请提供了一种用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置,包括:校正模块,其位于所述狭缝式曝光带测量区域与狭缝式曝光带的相反侧,其中,狭缝式曝光带测量区域位于狭缝式曝光带的两侧;在所述校正模块和所述狭缝式曝光带测量区域之间,具有狭缝式曝光带控制区域,滤光板可移动至所述狭缝式曝光带控制区域中;其中,校正模块和滤光板在朝向所述狭缝的方向上都是可移动的。
针对上述存在的问题,本申请提供了一种光刻机,包括:照明装置、掩膜台、载物台、透镜装置、光刻版及其移动装置和用于调节狭缝均匀性的装置。
本申请的优点在于:通过可移动的校正模块和滤光板,控制滤光板在狭缝式曝光带控制区域移动改变光强和焦距,从而改善狭缝式曝光带均匀性,最小化由于狭缝式曝光带均匀性改变而产生的问题。
附图说明
通过阅读下文优选实施方式的详细描述,各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的,而并不认为是对本发明的限制。而且在整个附图中,用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中:
图1示出了光刻机中与用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置相关的部分的示意图;
图2示出了本申请实施方式的用于调节狭缝式曝光带均匀性的装置的示意图;
图3示出了本申请实施方式的狭缝式曝光带和狭缝式曝光带测量区域的示意图;
图4示出了本申请实施方式的校正模块和滤光板的示意图;
图5示出了本申请实施方式的滤光板的阻光率示意图;
图6示出了本申请实施方式的滤光板的透光率示意图。
具体实施方式
以下,将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解,这些描述只是示例性的,而并非要限制本公开的范围。此外,在以下说明中,省略了对公知结构和技术的描述,以避免不必要地混淆本公开的概念。
在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的,其中为了清楚表达的目的,放大了某些细节,并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的,实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差,并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司,未经中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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