[发明专利]阵列基板及阵列基板的制备方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基底；

第一晶体管，所述第一晶体管设于所述基底一侧，所述第一晶体管包括沿所述阵列基板的竖直方向层叠设置的金属氧化物层、多晶复合材料层以及第一多晶硅层，所述多晶复合材料层的导电性大于所述金属氧化物层的导电性，且小于所述第一多晶硅层的导电性；

第二晶体管，所述第二晶体管设于所述基底的设有所述第一晶体管的同一侧，所述第二晶体管包括第二多晶硅层。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述多晶复合材料层包括金属氧化物和多晶硅。

3.一种阵列基板的制备方法，用于制备权利要求1至2任一项所述的阵列基板，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成第一有源部和第二有源部，所述第一有源部包括层叠设置的金属氧化物层和第一非晶硅层，所述金属氧化物层靠近所述基底设置，所述第二有源部包括第二非晶硅层；

对所述第一有源部的所述第一非晶硅层进行晶化处理形成第一多晶硅层，并且所述第一多晶硅层与所述金属氧化物层的接触界面受热形成多晶复合材料层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述对所述第一有源部的所述第一非晶硅层进行晶化处理的步骤中：

对所述第一非晶硅层进行激光照射以使所述第一非晶硅层晶化形成第一多晶硅层。

5.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在所述对所述第一非晶硅层进行激光照射以使所述第一非晶硅层晶化形成第一多晶硅层的步骤中：

所述激光的能量穿透深度大于所述第一非晶硅层和所述金属氧化物层相接触的一侧表面到所述第一非晶硅层背离所述金属氧化物层一侧表面之间的最小距离。

6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一非晶硅层和所述金属氧化物层相接触的一侧表面到所述第一非晶硅层背离所述金属氧化物层一侧表面之间的最小距离为4.5nm～5.5nm；

所述激光的能量穿透深度为5.6nm～7.0nm。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述激光为波长为157nm～353nm；

优选的，所述激光为波长为308nm的氯化氙准分子激光。

8.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述基底上形成第一有源部和第二有源部的步骤中：

所述金属氧化物层和所述基底相接触的一侧表面到所述金属氧化物层背离所述基底一侧表面之间的最小距离为40nm～50nm。

9.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在对所述第一有源部的所述第一非晶硅层进行晶化处理形成第一多晶硅层的步骤后，还包括：

在所述第一多晶硅层背离所述金属氧化物层一侧形成层间绝缘层；

在所述层间绝缘层背离所述第一多晶硅层一侧形成栅极层。

10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述在所述层间绝缘层背离所述第一多晶硅层一侧形成栅极层的步骤后，还包括：

在所述第一多晶硅层背离所述金属氧化物层一侧形成源漏极层。