[发明专利]阵列基板及阵列基板的制备方法

说明书

本发明公开了一种阵列基板及阵列基板的制备方法，阵列基板包括：基底；第一晶体管，第一晶体管设于基底一侧，第一晶体管包括沿阵列基板的竖直方向层叠设置的金属氧化物层、多晶复合材料层以及第一多晶硅层，多晶复合材料层的导电性大于金属氧化物层的导电性，且小于第一多晶硅层的导电性；第二晶体管，第二晶体管设于基底的设有第一晶体管的同一侧，第二晶体管包括第二多晶硅层。多晶复合材料层的导电性强于金属氧化物层的导电性，在第一晶体管中，多晶复合材料层的导电性介于第一多晶硅层与金属氧化物层的导电性之间，提高了第一晶体管的电性均匀性，减少所需的晶体管数量，在应用于显示面板时可提高像素密度，降低晶体管功耗以及漏电风险。

技术领域

本发明属于电子产品技术领域，尤其涉及一种阵列基板及阵列基板的制备方法。

背景技术

对于现有的LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)显示面板，由于其包含LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)晶体管以及IGZO(indium gallium zinc oxide，氧化铟镓锌)晶体管，构成低温多晶硅的有源层分别为多晶硅和IGZO，受到工艺材料限制，IGZO存在电性不均匀的风险，容易产生漏电等问题。

因此，亟需一种新的阵列基板及阵列基板的制备方法。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及阵列基板的制备方法，在第一晶体管中，多晶复合材料层的导电性介于第一多晶硅层与金属氧化物层的导电性之间，提高了第一晶体管的电性均匀性，减少所需的晶体管数量，在应用于显示面板时可提高像素密度，并且降低晶体管功耗以及漏电风险。

本发明实施例一方面提供了一种阵列基板，包括：基底；第一晶体管，所述第一晶体管设于所述基底一侧，所述第一晶体管包括沿所述阵列基板的竖直方向层叠设置的金属氧化物层、多晶复合材料层以及第一多晶硅层，所述多晶复合材料层的导电性大于所述金属氧化物层的导电性，且小于所述第一多晶硅层的导电性；第二晶体管，所述第二晶体管设于所述基底的设有所述第一晶体管的同一侧，所述第二晶体管包括第二多晶硅层。

根据本发明的一个方面，所述多晶复合材料层包括金属氧化物和多晶硅。

本发明实施例另一方面还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：提供基底；在所述基底上形成第一有源部和第二有源部，所述第一有源部包括层叠设置的金属氧化物层和第一非晶硅层，所述金属氧化物层靠近所述基底设置，所述第二有源部包括第二非晶硅层；对所述第一有源部的所述第一非晶硅层进行晶化处理形成第一多晶硅层，并且所述第一多晶硅层与所述金属氧化物层的接触界面受热形成多晶复合材料层。

根据本发明的另一个方面，在所述对所述第一有源部的所述第一非晶硅层进行晶化处理的步骤中：对所述第一非晶硅层进行激光照射以使所述第一非晶硅层晶化形成第一多晶硅层。

根据本发明的另一个方面，在所述对所述第一非晶硅层进行激光照射以使所述第一非晶硅层晶化形成第一多晶硅层的步骤中：所述激光的能量穿透深度大于所述第一非晶硅层和所述金属氧化物层相接触的一侧表面到所述第一非晶硅层背离所述金属氧化物层一侧表面之间的最小距离。

根据本发明的另一个方面，所述第一非晶硅层和所述金属氧化物层相接触的一侧表面到所述第一非晶硅层背离所述金属氧化物层一侧表面之间的最小距离为4.5nm～5.5nm；所述激光的能量穿透深度为5.6nm～7.0nm。

根据本发明的另一个方面，所述激光为波长为157nm～353nm；优选的，所述激光为波长为308nm的氯化氙准分子激光。

根据本发明的另一个方面，所述在所述基底上形成第一有源部和第二有源部的步骤中：所述金属氧化物层和所述基底相接触的一侧表面到所述金属氧化物层背离所述基底一侧表面之间的最小距离为40nm～50nm。