[发明专利]一种晶片压覆装置有效
申请号: | 202110132329.3 | 申请日: | 2021-01-31 |
公开(公告)号: | CN112928049B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 孟庆坡 | 申请(专利权)人: | 红蜂维尔(山东)自动化技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 成都鱼爪智云知识产权代理有限公司 51308 | 代理人: | 代述波 |
地址: | 250200 山东省济南市章丘区双*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 装置 | ||
本发明提出了一种晶片压覆装置,涉及芯片制造领域。一种磁性缓冲晶片压覆装置,包括转动组件、升降组件和多个压覆组件,转动组件包括转动盘和套筒,套筒竖直固定在转动盘上,通过所述转动盘转动,可带动所述升降组件上的多个所述压覆组件同时转动,使多个所述压覆组件同时移动到晶片的拾取工位或压覆工位,进行晶片的拾取和压覆,升降组件包括升降块和驱动机构,升降块设置在套筒内,驱动机构连接到升降块,用于驱动升降块沿套筒轴线方法自由滑动。套筒的侧壁均匀间隔开设有多个通槽,多个通槽沿竖直方向开设,多个压覆组件一一对应伸入到通槽内,并与升降块连接。本发明能够同时进行晶片的吸取和压覆动作,极大的提升晶片压覆的效率。
技术领域
本发明涉及芯片制造领域,具体而言,涉及一种晶片压覆装置。
背景技术
晶片是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片,由于其形状为圆形,故称为晶片。晶片是生产集成电路所用的载体,一般意义晶圆多指单晶硅圆片。单晶硅圆片由普通硅砂拉制提炼,经过溶解、提纯、蒸馏一系列措施制成单晶硅棒,单晶硅棒经过抛光、切片之后,就成为了晶片。晶片压覆是应用于晶体及半导体行业轻薄易碎物体的取放及搭载工作的使用技术手段,方便晶片的拿取转移的操作进行。由于晶片压覆过程要求紧密度极高,现有的晶片压覆装置一般只能对一只晶片进行压覆,压覆过程一般吸取晶片后,到达焊接基板的导电胶上方,然后进行压覆动作。压覆完成后才能进行下一次压覆操作,极大的降低了晶片压覆的效率。
发明内容
本发明的目的在于提供一种晶片压覆装置,其能够同时进行晶片的吸取和压覆动作,极大的提升晶片压覆的效率。
本发明的实施例是这样实现的:
本申请实施例提供一种晶片压覆装置,包括转动组件、升降组件和多个压覆组件,转动组件包括转动盘和套筒,套筒竖直固定在转动盘上,通过转动盘转动,可带动升降组件上的多个压覆组件同时转动,使多个压覆组件同时移动到晶片的拾取工位或压覆工位,进行晶片的拾取和压覆,升降组件包括升降块和驱动机构,升降块设置在套筒内,驱动机构连接到升降块,用于驱动升降块沿套筒轴线方法自由滑动;
套筒的侧壁均匀间隔开设有多个通槽,多个通槽沿竖直方向开设,多个压覆组件一一对应伸入到通槽内,并与升降块连接。
在本发明的一些实施例中,上述压覆组件包括第一移动机构、第二移动机构和覆晶模块,第一移动机构伸入到通槽内与升降块连接,第二移动机构设置在第一移动机构位于套筒外的部分,第一移动机构能沿套筒径向带动第二移动机构移动,覆晶模块设置在第二移动机构上,第二移动机构能带动覆晶模块沿垂套筒切线方向移动。
在本发明的一些实施例中,上述第一移动机构包括第一伺服电机、底板、第一移动块和第一丝杆,底板上设置有第一滑轨,第一移动块设置在滑轨上,且能在滑轨上自由滑动,第一丝杆沿第一滑轨方向贯穿第一移动块,且与第一移动块螺纹连接,第一伺服电机连接到第一丝杆端部,用于驱动第一丝杆转动,第二移动机构设置在第一移动块上。
在本发明的一些实施例中,上述第一丝杆的两端设置有轴承座,轴承座能够通过轴承将第一丝杆的两端固定在底板上。
在本发明的一些实施例中,上述第一丝杆两端的轴承座上还设置有导向杆,导向杆与轴承座固定,导向杆贯穿第一移动块,第一移动块能沿导向杆自由滑动。
在本发明的一些实施例中,上述第二移动机构包括移动框架、第二移动块、第二伺服电机和第二丝杆,移动框架固定在第一移动块上,移动框架内设置有第二滑轨,第二移动块设置在移动框架内,并与第二滑轨滑动连接,第二丝杆贯穿第二移动块,并与第二移动块螺纹连接,第二伺服电机设置在移动框架一端,第二丝杆的一端穿过移动框架连接到第二伺服电机。
在本发明的一些实施例中,上述覆晶模块设置在第二移动块下方,与第二移动块固定连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造