[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 202110133912.6 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112992826A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 黄文宏;苏育贤 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/498;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京植德律师事务所 11780 | 代理人： | 唐华东 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
基板；
粘合层，设于所述基板上；
重布线层，设于所述粘合层上；
导通孔，贯穿所述粘合层和所述重布线层，所述重布线层与所述基板通过所述导通孔电性连接；
阻挡层，嵌设于所述粘合层且围绕所述导通孔。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导通孔为倒圆台结构。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导通孔包括上开孔，所述上开孔贯穿所述重布线层的上表面，所述上开孔的孔径与所述导通孔的高度的长度比小于等于1.2。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述阻挡层为坝体结构。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述阻挡层为环形结构。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述环形结构的数量为至少两个，相邻的两个所述环形结构之间的间隔距离为10微米。
7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体结构，其中，所述导通孔具有一侧壁角，所述侧壁角小于等于100.2度。
8.一种制造半导体结构的方法，包括：
提供基板；
在所述基板上设置阻挡层；
在所述基板上设置粘合层，以使所述阻挡层嵌设于所述粘合层；
在所述粘合层上设置重布线层；
形成贯穿所述粘合层和所述重布线层的导通孔，所述重布线层与所述基板通过所述导通孔电性连接，所述导通孔包括上开孔和下开孔，所述阻挡层用于定义所述下开孔的孔径。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述导通孔为倒圆台结构。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，所述上开孔贯穿所述重布线层的上表面，所述上开孔的孔径与所述导通孔的高度的长度比小于等于1.2。
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