[发明专利]半导体结构及其制造方法

说明书

本公开涉及半导体结构及其制造方法，通过在粘合层中设置围绕导通孔的阻挡层，以阻挡反射至粘合层上的光，以尽量避免出现导通孔的孔底扩孔现象，提高导通孔的质量，进而提高半导体结构的稳定性。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体涉及半导体结构及其制造方法。

背景技术

在现有的一种半导体结构中，通过粘合层结合重布线层和基板，再通过导通孔联通重布线层与基板之间的电性通道。

在制作导通孔时，可以采用激光钻孔或者刻蚀成孔的方式。在实际应用中，在应用大于等于50微米孔径的导通孔时，一般会选用激光钻孔，但是当激光打穿重布线层和粘合层时，激光能量的控制有难度，而激光能量的不同会造成不同形状的孔，若激光能量过小，则容易造成导通孔的孔底未开孔现象，如图1B所示(图1B是现有技术中导通孔的孔底未开孔现象的示意图)。若激光能量过大，则容易造成导通孔的孔底扩孔现象，如图1A所示(图1A是现有技术中导通孔的孔底扩孔现象的示意图)。而导通孔制作的质量，会影响重布线层与基板之间的电连接性能，影响半导体结构的稳定性。

发明内容

本公开提供了半导体结构及其制造方法。

第一方面，本公开提供了一种半导体结构，该半导体结构包括：基板；粘合层，设于基板上；重布线层，设于粘合层上；导通孔，贯穿粘合层和重布线层，重布线层与基板通过导通孔电性连接；阻挡层，嵌设于粘合层且围绕导通孔。

在一些可选的实施方式中，导通孔为倒圆台结构。

在一些可选的实施方式中，导通孔包括上开孔，上开孔贯穿重布线层的上表面，上开孔的孔径与导通孔的高度的长度比小于等于1.2。

在一些可选的实施方式中，阻挡层为坝体结构。

在一些可选的实施方式中，阻挡层为环形结构。

在一些可选的实施方式中，环形结构的数量为至少两个，相邻的两个环形结构之间的间隔距离为10微米。

在一些可选的实施方式中，导通孔具有一侧壁角，侧壁角小于等于100.2度。

第二方面，本公开提供了一种半导体结构的制造方法，包括：提供基板；在基板上设置阻挡层；在基板上设置粘合层，以使阻挡层嵌设于粘合层；在粘合层上设置重布线层；形成贯穿粘合层和重布线层的导通孔，重布线层与基板通过导通孔电性连接，导通孔包括上开孔和下开孔，阻挡层用于定义下开孔的孔径。

在一些可选的实施方式中，导通孔为倒圆台结构。

在一些可选的实施方式中，上开孔贯穿重布线层的上表面，上开孔的孔径与导通孔的高度的长度比小于等于1.2。

在一些可选的实施方式中，阻挡层为坝体结构。

在一些可选的实施方式中，阻挡层为环形结构。

在一些可选的实施方式中，环形结构的数量为至少两个，相邻的两个环形结构之间的间隔距离为10微米。

在一些可选的实施方式中，导通孔具有一侧壁角，侧壁角小于等于100.2度。

为了解决当激光打穿重布线层和粘合层时，由于激光能量的控制有难度，而造成导通孔的孔底未开孔现象或导通孔的孔底扩孔现象，影响了重布线层与基板之间的电连接性能，进而影响了半导体结构的稳定性的技术问题，在现有技术中的半导体结构中，重布线层中的线路结构可以阻挡激光能量中的倾斜光，但实际中，仍有部分倾斜光入射至重布线层中的线路结构上，然后反射至粘合层上，造成导通孔的孔底扩孔现象。

本公开提供的半导体结构及其制造方法，通过在粘合层中设置围绕导通孔的阻挡层，以阻挡反射至粘合层上的光，以尽量避免出现导通孔的孔底扩孔现象，提高导通孔的质量，进而提高半导体结构的稳定性。

附图说明