[发明专利]一种高频多芯片模组的扇出型封装及其制备方法

权利要求书

1.一种高频多芯片模组的扇出型封装，其特征在于：包括塑封了若干芯片的塑封层，芯片的引脚均外露在塑封层表面，对应于芯片引脚，在塑封层一侧设置用于引出芯片引脚和感光性有机介电层外露点的重新布线层以及设置于重新布线层远离塑封层一侧的锡球，被塑封在塑封层内的芯片表面和重新布线层表面涂覆有感光性有机介电层，在每一个芯片周围的感光性有机介电层上形成若干均匀分布的点状环形缺口，并在点状环形缺口中填充铜，在感光性有机介电层上表面设置铜层，铜层上表面设置不锈钢层。

2.根据权利要求1所述的高频多芯片模组的扇出型封装，其特征在于：不锈钢层、铜层和感光性有机介电层均位于塑封层内。

3.根据权利要求1所述的高频多芯片模组的扇出型封装，其特征在于：铜层和点状环形缺口中填充的铜一体化成型。

4.根据权利要求1所述的高频多芯片模组的扇出型封装，其特征在于：相邻的点状环形缺口间距为40～100um。

5.根据权利要求1所述的高频多芯片模组的扇出型封装，其特征在于：所述感光性有机介电层为聚酰亚胺层、PBO层或介电干膜层。

6.一种如权利要求1所述的高频多芯片模组的扇出型封装的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)准备临时载片，并在临时载片上涂覆临时键合胶层；

2)在临时键合胶层的表面将芯片的引脚面朝向临时键合胶层进行贴装；

3)在芯片的表面以及芯片间空置的临时键合胶层上涂覆感光性有机介电层；

4)接着进行感光性有机介电层的光刻显影处理，使得在每一个芯片周围的环形区域处的感光性有机介电层上形成点状环形缺口；

5)采用等离子体溅镀的方法，在感光性有机介电层上溅镀铜层，同时对点状环形缺口内进行填充铜；

6)用等离子体溅镀的方法，在铜层上面溅镀一层不锈钢层；

7)对芯片、感光性有机介电层、铜层和不锈钢层共同进行塑封，形成塑封层；

8)去除临时载片和临时键合胶层，在外露芯片引脚和感光性有机介电层外露点的塑封层表面上对应制作重新布线层；

9)在重新布线层的金属焊盘上植入锡球并回流固化；

10)对所制作完成的扇出型封装体进行单元切割。

7.根据权利要求6所述的高频多芯片模组的扇出型封装的制备方法，其特征在于：所述感光性有机介电层为聚酰亚胺层、PBO层或介电干膜层。

8.根据权利要求6所述的高频多芯片模组的扇出型封装的制备方法，其特征在于：所述感光性有机介电层的厚度为3～10um，铜层厚度为5～20um，不锈钢层厚度为0.2～2um。

9.根据权利要求6所述的高频多芯片模组的扇出型封装的制备方法，其特征在于：所述点状环形缺口为矩形缺口，边长为10～20um。

10.根据权利要求6所述的高频多芯片模组的扇出型封装的制备方法，其特征在于：所述步骤8)中，重新布线层由使用光刻方法制作的有机介电层和使用电化学镀ECD的方法制成的至少一层金属导线层构成。