[发明专利]一种能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法有效
申请号: | 202110133957.3 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN112908870B | 公开(公告)日: | 2023-08-18 |
发明(设计)人: | 王新;蒋振雷 | 申请(专利权)人: | 杭州晶通科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/78 |
代理公司: | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人: | 张超 |
地址: | 311121 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 能够 消除 芯片 位移 晶圆级扇出型 封装 方法 | ||
1.一种能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法,其特征在于:包括以下步骤:
1)建立以晶圆中心为坐标原点的坐标轴,并对应于采用的临时载片材质、塑封层材质、塑封温度和室温计算塑封后芯片会发生的偏移量;
2)在临时载片上涂覆临时键合胶层,并在临时键合胶层上,芯片按照会发生的偏移方向的反方向位移步骤1)计算得到的偏移量的距离并贴装;
3)对贴装了芯片的临时载片进行塑封;
4)然后去除临时载片,在塑封层外露芯片引脚的侧面通过整体曝光制备重新布线层;
5)在重新布线层上植球并切割为小的封装体;
所述步骤1)中,设偏移量为(x′,y′),偏移起始位置为(x0,y0),偏移后的位置为(x1,y1),可
以得到如下公式:
x′=(x1-x0)=(Tm-Tr)*(CTEc-CTEm)*x0
y′=(y1-y0)=(Tm-Tr)*(CTEc-CTEm)*y0
上式中,Tm为塑封时的温度,Tr为室温即环境温度,CTEc为临时载片的热膨胀系数,CTEm为塑封材料的热膨胀系数。
2.根据权利要求1所述的能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法,其特征在于:所述步骤1)中,在晶圆上,越远离坐标原点的芯片塑封后偏移量越大。
3.根据权利要求1所述的能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法,其特征在于:所述步骤3)中,先将芯片、塑封层和临时载片共同加热至塑封温度,再冷却至室温以完成塑封。
4.根据权利要求1所述的能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法,其特征在于:当x′大于0时,x0向坐标轴正方向偏移,芯片x轴预设位置需要设置为x0-x′,当x′小于0时,x0向坐标轴反方向偏移,芯片x轴预设位置需要设置为x0-x′。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造