[发明专利]一种能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法有效

专利信息
申请号: 202110133957.3 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112908870B 公开(公告)日: 2023-08-18
发明(设计)人: 王新;蒋振雷 申请(专利权)人: 杭州晶通科技有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/78
代理公司: 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 代理人: 张超
地址: 311121 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 能够 消除 芯片 位移 晶圆级扇出型 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法,其特征在于:包括以下步骤:

1)建立以晶圆中心为坐标原点的坐标轴,并对应于采用的临时载片材质、塑封层材质、塑封温度和室温计算塑封后芯片会发生的偏移量;

2)在临时载片上涂覆临时键合胶层,并在临时键合胶层上,芯片按照会发生的偏移方向的反方向位移步骤1)计算得到的偏移量的距离并贴装;

3)对贴装了芯片的临时载片进行塑封;

4)然后去除临时载片,在塑封层外露芯片引脚的侧面通过整体曝光制备重新布线层;

5)在重新布线层上植球并切割为小的封装体;

所述步骤1)中,设偏移量为(x′,y′),偏移起始位置为(x0,y0),偏移后的位置为(x1,y1),可

以得到如下公式:

x′=(x1-x0)=(Tm-Tr)*(CTEc-CTEm)*x0

y′=(y1-y0)=(Tm-Tr)*(CTEc-CTEm)*y0

上式中,Tm为塑封时的温度,Tr为室温即环境温度,CTEc为临时载片的热膨胀系数,CTEm为塑封材料的热膨胀系数。

2.根据权利要求1所述的能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法,其特征在于:所述步骤1)中,在晶圆上,越远离坐标原点的芯片塑封后偏移量越大。

3.根据权利要求1所述的能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法,其特征在于:所述步骤3)中,先将芯片、塑封层和临时载片共同加热至塑封温度,再冷却至室温以完成塑封。

4.根据权利要求1所述的能够消除芯片位移差的晶圆级扇出型封装方法,其特征在于:当x′大于0时,x0向坐标轴正方向偏移,芯片x轴预设位置需要设置为x0-x′,当x′小于0时,x0向坐标轴反方向偏移,芯片x轴预设位置需要设置为x0-x′。

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