[发明专利]一种半导体外延厚度的检测方法及装置

权利要求书

1.一种半导体外延厚度的检测方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：

在晶片载台的承载面一侧设置输入管道，并在输入管道远离红外检测装置的一端设置调压装置；

在所述红外检测装置的所述晶片载台的承载面一侧通入保护气体，并以预设压力吹扫所述晶片载台表面，所述预设压力的范围为1~20PSI；

在所述半导体外延上选定第一测试点和第一测试次数，对所述第一测试点的厚度进行单点重复性测量；

调整所述红外检测装置的扫描次数，对所述半导体外延进行单点重复性测量；

获得多个重复性测量的结果，将重复性最低时的检测条件设置为最佳的检测条件；

在所述半导体外延上选定第二测试点和第二测试次数，对所述第二测试点进行厚度测量，并获得所述厚度测量的均一性测量结果，且所述均一性测量结果包括获得所述第二测试点的平均值和偏差率；

其中，所述第一测试点为所述半导体外延的中心点，所述第二测试点包括多个测试点，且所述多个测试点以所述半导体外延的中心为中心点均匀排列。

2.根据权利要求1所述的一种半导体外延厚度的检测方法，其特征在于，所述保护气体为氮气。

3.根据权利要求1所述的一种半导体外延厚度的检测方法，其特征在于，对所述第一测试点的厚度进行单点重复性测量包括：

设定所述红外检测装置的扫描次数、镜面校正和测量背景；

将晶片放置在所述晶片载台上，对所述半导体外延的第一测试点处进行重复性测量；

获取所述重复性测量的结果。

4.根据权利要求3所述的一种半导体外延厚度的检测方法，其特征在于，所述半导体外延厚度的检测方法还包括：调整所述扫描次数，并获得多个所述重复性测量结果，选定最佳的扫描次数。

5.根据权利要求1所述的一种半导体外延厚度的检测方法，其特征在于，对所述第二测试点进行厚度测量包括：

设定所述红外检测装置的扫描次数、镜面校正和测量背景；

将晶片放置在晶片载台上，对所述半导体外延的第二测试点处进行厚度测量；

获取所述厚度测量的均一性测量结果。