[发明专利]一种半导体外延厚度的检测方法及装置

说明书

本发明公开了一种半导体外延厚度的检测方法及装置，所述半导体外延厚度的检测方法包括：在红外检测装置的晶片载台承载面一侧通入保护气体，并以预设压力吹扫晶片载台表面；在所述半导体外延上选定第一测试点和第一测试次数，对所述第一测试点的厚度进行单点重复性测量；在所述半导体外延上选定第二测试点和第二测试次数，对所述第二测试点进行厚度测量。本发明通过公开的一种半导体外延厚度的检测方法，提高所述半导体外延厚度测量的准确性。

技术领域

本发明属于半导体技术领域，特别涉及一种半导体外延厚度的检测方法及装置。

背景技术

通过傅立叶红外对半导体半导体外延的厚度进行测量，是利用红外光束入射到半导体外延层后又分别从衬底表面和半导体外延层表面反射出来，反射光束在满足一定条件下会发生相互加强或减弱的干涉作用，然后由发生加强或减弱的波长换算出半导体外延层厚度。

在检测过程中，用于测量半导体外延厚度的红外检测装置放置在空气中，受水和二氧化碳等官能团的影响，导致干涉波谱图的形貌有所差异，从而影响最终计算结果，测量的半导体外延厚度不准确。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体外延厚度的检测方法及装置，通过本发明提供的一种半导体外延厚度的检测方法，可以在不损伤红外检测装置的情况下，提高所述半导体外延厚度的检测精度。

为解决上述技术问题，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供的一种半导体外延厚度的检测方法，其包括：

在红外检测装置的晶片载台承载面一侧通入保护气体，并以预设压力吹扫晶片载台表面；

在所述半导体外延上选定第一测试点和第一测试次数，对所述第一测试点的厚度进行单点重复性测量；

在所述半导体外延上选定第二测试点和第二测试次数，对所述第二测试点进行厚度测量。

在本发明一实施例中，导体外延厚度的检测方法还包括：在所述晶片载台的承载面一侧设置输入管道，并在输入管道的远离所述红外检测装置的一端设置调压装置。

在本发明一实施例中，所述保护气体的所述预设压力范围为1~20PSI。

在本发明一实施例中，所述保护气体为氮气。

在本发明一实施例中，所述第一测试点为所述半导体外延的中心点。

在本发明一实施例中，对所述第一测试点的厚度进行单点重复性测量包括：

设定所述红外检测装置的扫描次数、镜面校正和测量背景；

将晶片放置在所述晶片载台上，对所述半导体外延的第一测试点处进行重复性测量；

获取所述重复性测量结果。

在本发明一实施例中，所述半导体外延厚度的检测方法还包括：调整所述扫描次数，并获得多个所述重复性测量结果，选定最佳的扫描次数。

在本发明一实施例中，对所述第二测试点进行厚度测量包括：

设定所述红外检测装置的扫描次数、镜面校正和测量背景；

将晶片放置在晶片载台上，对所述半导体外延的第二测试点处进行厚度测量；

获取所述厚度测量的均一性测量结果。

在本发明一实施例中，所述第二测试点包括多个测试点，其数量为8~17个，且所述多个测试点以所述半导体外延中心为中心点均匀排列。

本发明还提供一种半导体外延厚度的检测装置，用于执行所述半导体外延厚度的检测方法，其包括：