[发明专利]一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法在审
| 申请号： | 202110134586.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN112959140A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 石明;刘琦;李诺;孙晨光;王彦君 | 申请（专利权）人： | 中环领先半导体材料有限公司;天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 | 代理人： | 薛萌萌 |
| 地址： | 214200 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 抛光 表面 氧化 厚度 工艺 方法 | ||
1.一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，具体制作步骤如下：
S1、将硅片置于粗抛机进行粗抛
S2、将硅片置于中抛机进行中抛
S3、将硅片置于精抛机进行精抛
S4、抛光后进行初清洗
S5、初清洗后进行最终清洗。
2.根据权利要求1所述的一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，其特征在于：S2中的中抛步骤分为三个阶段，第一阶段使用原液与纯水体积比为1:30的中抛液B研磨，二阶段使用纯水研磨10-20s，三阶段使用浓度为1％-2％的界面活性剂研磨20-40s。
3.根据权利要求1所述的一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，其特征在于：S3中的精抛步骤分为三个阶段，一阶段使用原液与纯水体积比为1:30精抛液C研磨，二阶段使用纯水研磨20-30s，三阶段使用浓度为1％-2％的界面活性剂研磨30-60s。
4.根据权利要求1所述的一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，其特征在于：抛光后初清洗和最终清洗的SC-1的配比定为NH4OH:H2O2:H2O＝1:3:30，温度控制在40-45℃，氨水原液的浓度为28-30％，双氧水原液的浓度为30-32％。
5.根据权利要求1所述的一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，其特征在于：最终清洗的SC-2药液由传统药液HCL+H2O2+H2O改为HF+HCL+H2O，配比为HF:HCL:H2O＝1：20：2000，温度控制在25-30℃，HCL原液的浓度为36-38％，HF原液的浓度为49％。
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