[发明专利]一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法

说明书

本发明提供了一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，包括S1、将硅片置于粗抛机进行粗抛S2、将硅片置于中抛机进行中抛S3、将硅片置于精抛机进行精抛S4、抛光后进行初清洗S5、初清洗后进行最终清洗。本发明所述的硅片抛光采用的是化学机械抛光的方式，碱性抛光液对硅片有一定的腐蚀性,在中、精抛抛光过程结束及存放硅片的水槽使用界面活性剂，可以降低抛光液和水的氧化，从而降低氧化层的厚度，抛光后清洗采用低温低浓度的工艺方法，可以降低碱性清洗液对硅片的腐蚀氧化，同时通过新的SC‑2工艺可以利用HF将残留的氧化层腐蚀掉，从而得到较低氧化层厚度的硅抛光片表面。

技术领域

本发明属于硅片抛光领域，尤其是涉及一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法。

背景技术

近年来，随着半导体材料的不断发展，其在电子、通讯、纳米制造等领域得到广泛的应用，硅片大直径化是集成电路技术线宽变细、元件数量增多、管芯面积增大和降低成本的需要，是硅材料的发展趋势，对原始硅材料和工艺质量的控制的要求也越来越严苛，硅片直径的增大，对硅片表面的完美型要求越来越高；硅抛光片表面氧化层是半导体材料的一项重要参数，对半导体性能和可靠性有很大影响，因此要获得较低厚度氧化层的硅衬底抛光片，对抛光及清洗的技术水平提出了更高的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，以解决上述的不足之处。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，具体制作步骤如下：

S1、将硅片置于粗抛机进行粗抛

S2、将硅片置于中抛机进行中抛

S3、将硅片置于精抛机进行精抛

S4、抛光后进行初清洗

S5、初清洗后进行最终清洗

进一步的，所述S2中的中抛步骤分为三个阶段，第一阶段使用原液与纯水体积比为1:30的中抛液B研磨，二阶段使用纯水研磨10-20s，三阶段使用浓度为1％-2％的界面活性剂研磨20-40s；

进一步的，所述S3中的精抛步骤分为三个阶段，一阶段使用原液与纯水体积比为1:30精抛液C研磨，二阶段使用纯水研磨20-30s，三阶段使用浓度为1％-2％的界面活性剂研磨30-60s；

进一步的，所述抛光后初清洗和最终清洗的SC-1的配比定为NH₄OH:H₂O₂:H₂O＝1:3:30，温度控制在40-45℃，氨水原液的浓度为28-30％，双氧水原液的浓度为30-32％；

进一步的，所述最终清洗的SC-2药液由传统药液HCL+H2O2+H2O改为HF+HCL+H2O，配比为HF:HCL:H₂O＝1：20：2000，温度控制在25-30℃，HCL原液的浓度为36-38％，HF原液的浓度为49％。

相对于现有技术，本发明所述的一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法具有以下优势：

(1)本发明所述的一种降低硅抛光片表面氧化层厚度的工艺方法，硅片抛光采用的是化学机械抛光的方式，碱性抛光液对硅片有一定的腐蚀性,在中、精抛抛光过程结束及存放硅片的水槽使用界面活性剂，可以降低抛光液和水的氧化，从而降低氧化层的厚度，抛光后清洗采用低温低浓度的工艺方法，可以降低碱性清洗液对硅片的腐蚀氧化，同时通过新的SC-2工艺可以利用HF将残留的氧化层腐蚀掉，从而得到较低氧化层厚度的硅抛光片表面。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。