[发明专利]遮蔽材料在审
| 申请号： | 202110134924.0 | 申请日： | 2021-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN113185930A | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 田中俊平;植野大树 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/30 | 分类号： | C09J7/30;C09J133/08 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 遮蔽 材料 | ||
【权利要求书】：
1.一种遮蔽材料，其具备基材和由活性能量射线固化型粘合剂形成的粘合剂层，
该活性能量射线固化型粘合剂的基础聚合物是通过将包含5摩尔％～20摩尔％(甲基)丙烯酸系单体的单体组合物进行聚合而得到的聚合物，所述(甲基)丙烯酸系单体具有选自由甲基和乙基组成的组中的至少1种烷基，
将该遮蔽材料粘贴于硅晶圆并照射活性能量射线，在使粘合剂层发生固化的状态下切割遮蔽材料和硅晶圆后的粘合剂层的切割切断面的表面粗糙度Sa为3μm以下。
2.根据权利要求1所述的遮蔽材料，其中，所述单体组合物还包含含羟基单体，
该含羟基单体在单体组合物中的含有比例为10摩尔％～30摩尔％。
3.根据权利要求1所述的遮蔽材料，其中，所述基础聚合物为具有碳-碳双键的聚合物。
4.根据权利要求1所述的遮蔽材料，其中，所述粘合剂层在照射活性能量射线后的22℃时的储能模量为30MPa～300MPa。
5.根据权利要求1所述的遮蔽材料，其中，所述粘合剂层在照射活性能量射线后的22℃时的断裂强度为7MPa～15MPa。
6.根据权利要求1所述的遮蔽材料，其用于半导体制造工艺。
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