[发明专利]遮蔽材料

说明书

本发明提供一种遮蔽材料，其在供于切割工序时不易产生切削屑，并且在切割时难以剥离但在切割后可轻易剥离。本发明的遮蔽材料具备基材和由活性能量射线固化型粘合剂形成的粘合剂层。该活性能量射线固化型粘合剂的基础聚合物是将包含5摩尔％～20摩尔％(甲基)丙烯酸系单体的单体组合物进行聚合而得到的聚合物，所述(甲基)丙烯酸系单体具有选自由甲基和乙基组成的组中的至少1种烷基。将该遮蔽材料粘贴于硅晶圆并照射活性能量射线，在使粘合剂层发生固化的状态下切割遮蔽材料和硅晶圆后的粘合剂层的切割切断面的表面粗糙度Sa为3μm以下。

技术领域

本发明涉及遮蔽材料。更详细而言，涉及在保护供于规定制造工序的电子部件的一部分时使用的遮蔽材料。

背景技术

将电子部件供于规定的制造工序时，出于保护脆弱部分、无需处理的部分等的目的，进行利用遮蔽材料来遮蔽该部分的操作。此时，被遮蔽面有时具有凸块等凸部而呈现凹凸形状，寻求对于凸部能够追随性良好地粘贴的遮蔽材料。

另一方面，作为电子部件的制造工序，已知将以大面积加工而得的电子部件的前体进行小片化的工序(切割工序)。在该切割工序中，有时电子部件(电子部件的前体)也如上所述地具有凸部，具有该凸部的面被遮蔽。

然而，将具备遮蔽材料的电子部件供于切割工序时，存在如下问题：自切断面产生切削屑；该切削屑污染电子部件；在切割后的工序、例如溅射处理工序和蚀刻处理工序中产生不良情况等。作为解决这种问题的技术，提出了使用具备能够通过紫外线照射而固化的粘合剂层的遮蔽带的技术(专利文献1、2)。在该技术中，将遮蔽带贴附于电子部件前体后，通过紫外线照射而使粘合剂层发生固化。由此能够抑制切割时的切削屑产生。然而，由于基材薄膜中产生的切削屑(须)，有时在切割工序后的溅射处理工序和蚀刻处理工序中无法充分进行对被粘物的处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-123003号公报

专利文献2：日本特开2010-212310号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是为了解决上述现有问题而进行的，其目的在于，提供能够良好地追随被遮蔽面的凹凸形状、在供于切割工序时难以产生切削屑、且尽管在切割时难以剥离但在切割后可轻易剥离的遮蔽材料。

用于解决问题的方案

本发明的遮蔽材料具备基材和由活性能量射线固化型粘合剂形成的粘合剂层，该活性能量射线固化型粘合剂的基础聚合物是通过将包含5摩尔％～20摩尔％(甲基)丙烯酸系单体的单体组合物进行聚合而得到的聚合物，所述(甲基)丙烯酸系单体具有选自由甲基和乙基组成的组中的至少1种烷基。将该遮蔽材料贴附于硅晶圆并照射活性能量射线，在使粘合剂层发生固化的状态下切割遮蔽材料和硅晶圆后的粘合剂层的切割切断面的表面粗糙度Sa为3μm以下。

在一个实施方式中，上述单体组合物还包含含羟基单体。该含羟基单体的单体组合物中的含有比例为10摩尔％～30摩尔％。

在一个实施方式中，上述基础聚合物为具有碳-碳双键的聚合物。

在一个实施方式中，上述粘合剂层在照射活性能量射线后的22℃时的储能模量为30MPa～300MPa。

在一个实施方式中，上述粘合剂层在照射活性能量射线后的22℃时的断裂强度为7MPa～15MPa。

在一个实施方式中，上述遮蔽材料用于半导体制造工艺。

发明的效果