[发明专利]平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 202110137004.4 | 申请日： | 2021-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN112802755A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 苏晓山;贾国;卢昂;李明宇;王大明 | 申请（专利权）人： | 深圳吉华微特电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 冯建华;刘曰莹 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平面 沟槽 相结合 场效应 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，其特征在于：所述平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法包括如下步骤：
步骤S1：在N型硅片表面沉积氧化硅并进行光刻刻蚀；
步骤S2：去除部分氧化硅以形成沟槽刻蚀窗口，并进行沟槽刻蚀；
步骤S3：去除N型硅片表面的氧化硅并对N型硅片的表面进行氧化形成氧化硅，并在氧化硅上再沉积一层氧化硅，并在上一层的氧化硅上沉积多晶硅；
步骤S4：刻蚀步骤S3中的多晶硅及多晶硅下的两层氧化硅，进行栅氧化，沉积多晶硅，在多晶硅上沉积氧化硅；
步骤S5：进行多晶硅的光刻刻蚀，再进行氧化硅的刻蚀，刻蚀出P-注入窗口；
步骤S6：进行P-注入及推结；
步骤S7：刻蚀出N+注入窗口并进行N+注入及退火；
步骤S8：进行多晶CUT光刻，刻蚀多晶硅上的氧化硅，再刻蚀多晶硅以及刻蚀多晶硅；
步骤S9：沉积氧化硅，进行spacer刻蚀；
步骤S10：沉积氧化硅，刻蚀源极接触孔N型硅片表面的氧化硅，再刻蚀N型硅片；
步骤S11：进行P+注火及退火；
步骤S12：进行金属淀积形成源极。
2.如权利要求1所述的平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，其特征在于：在步骤S2中，采用各向异性干法刻蚀工艺取出部分氧化硅。
3.如权利要求1所述的平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，其特征在于：在步骤S3中，通过热氧化方式在N型硅片的表面形成氧化硅。
4.如权利要求1所述的平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，其特征在于：在步骤S10中，N型硅片的刻蚀槽深为0.3-0.5um。
5.如权利要求1所述的平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，其特征在于：在步骤S12中，源极的厚度在4-6um。
6.如权利要求1所述的平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，其特征在于：在步骤S3中，采用各向同性湿法腐蚀工艺去除N型硅片表面的氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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