[发明专利]平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法在审

申请号：	202110137004.4	申请日：	2021-02-01
公开（公告）号：	CN112802755A	公开（公告）日：	2021-05-14
发明（设计）人：	苏晓山;贾国;卢昂;李明宇;王大明	申请（专利权）人：	深圳吉华微特电子有限公司
主分类号：	H01L21/336	分类号：	H01L21/336;H01L29/423;H01L29/78
代理公司：	深圳市中科创为专利代理有限公司 44384	代理人：	冯建华;刘曰莹
地址：	518000 广东省深圳市龙岗区***	国省代码：	广东;44
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摘要：
搜索关键词：	平面沟槽相结合场效应半导体器件制造方法
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【说明书】：

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，包括如下步骤：步骤S 1：在N型硅片表面沉积氧化硅并进行光刻刻蚀；步骤S2：去除部分氧化硅以形成沟槽刻蚀窗口，并进行沟槽刻蚀；步骤S3：去除N型硅片表面的氧化硅并对N型硅片的表面进行氧化形成氧化硅，并在氧化硅上再沉积一层氧化硅，并在上一层的氧化硅上沉积多晶硅；步骤S4：刻蚀步骤S3中的多晶硅及多晶硅下的两层氧化硅，进行栅氧化，沉积多晶硅，在多晶硅上沉积氧化硅；步骤S5：进行多晶硅的光刻刻蚀，再进行氧化硅的刻蚀，刻蚀出P‑注入窗口；步骤S6：进行P‑注入及推结；步骤S7：刻蚀出N+注入窗口并进行N+注入及退火。

【技术领域】

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法。

【背景技术】

沟槽结构和平面结构的场效应半导体器件已在功率半导体器件技术领域广泛应用，平面结构的原胞尺寸大，导通电阻高；目前普遍采用沟槽结构。

沟槽结构的原胞密度增加，单位面积的导通电阻低，但栅电荷和反向传输电容较大，在部分应用中需求低导通电阻同时要求低的栅电荷及反向传输电容。

因此如何解决现有技术产品参数，即沟槽结构的场效应半导体器件很难实现低的栅电荷与反向传输电容问题，便成了所要解决的重点。

【发明内容】

为克服上述的技术问题，本发明提供了一种平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法。

本发明解决技术问题的方案是提供一种平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，包括如下步骤：

步骤S1：在N型硅片表面沉积氧化硅并进行光刻刻蚀；

步骤S2：去除部分氧化硅以形成沟槽刻蚀窗口，并进行沟槽刻蚀；

步骤S3：去除N型硅片表面的氧化硅并对N型硅片的表面进行氧化形成氧化硅，并在氧化硅上再沉积一层氧化硅，并在上一层的氧化硅上沉积多晶硅；