[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在审

专利信息
申请号: 202110138121.2 申请日: 2021-02-01
公开(公告)号: CN112885885A 公开(公告)日: 2021-06-01
发明(设计)人: 李远航 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/56
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 王红红
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 显示 面板 显示装置 制作方法
【权利要求书】:

1.一种显示面板,其特征在于,包括:

衬底基板;

薄膜晶体管层,设置于所述衬底基板上,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管;

阳极层,设置于所述薄膜晶体管层上,所述阳极层包括与所述薄膜晶体管电连接的阳极;

像素定义层,设置于所述薄膜晶体管层和所述阳极层上,所述像素定义层对应所述阳极的位置开设有像素开口,所述像素定义层由遮光材料制成;

发光层,设置于所述阳极层上,并位于所述像素开口内;

阴极层,设置于所述发光层上;

封装层,设置于所述像素定义层和所述阴极层上;

彩膜层,设置于所述封装层内,所述彩膜层包括与所述像素开口位置对应的色阻。

2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述色阻至少部分位于所述像素开口内。

3.根据权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述像素开口在所述像素定义层远离所述薄膜晶体管层的方向上逐渐扩张。

4.根据权利要求3所述的显示面板,其特征在于,所述像素开口包括沿所述像素定义层远离所述薄膜晶体管层的方向依次连通的第一扩张段和第二扩张段,所述第一扩张段靠近所述第二扩张段的一端具有第一开口,所述第二扩张段靠近所述第一扩张段的一端具有第二开口,所述第一开口的面积小于所述第二开口的面积。

5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述第一扩张段至少一个侧面与所述像素定义层表面形成的夹角小于或等于45°。

6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述封装层包括沿远离所述像素定义层方向依次设置的第一子封装层、第二子封装层和第三子封装层,所述彩膜层位于所述第一子封装层和所述第二子封装层之间。

7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述遮光材料的光密度范围大于或等于3.5且小于或等于4.5。

8.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阴极层远离所述发光层的一侧具有氧化层;和/或,所述阴极层至少一侧设置有吸光层。

9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述吸光层由碳60、氯化亚酞菁硼或酞菁铅中的一种或多种制成。

10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求1至9中任一项所述的显示面板。

11.一种显示面板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:

提供一衬底基板;

在所述衬底基板上形成薄膜晶体管层,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管;

在所述薄膜晶体管层上形成阳极层,所述阳极层包括与所述薄膜晶体管电连接的阳极;

在所述薄膜晶体管层和所述阳极层上形成像素定义层,所述像素定义层对应所述阳极的位置开设有像素开口,所述像素定义层由遮光材料制成;

在所述像素开口内形成发光层;

在所述发光层上形成阴极层;

在所述像素定义层和所述阴极层上形成第一覆盖层;

在所述第一覆盖层上形成彩膜层,所述彩膜层包括与所述像素开口位置对应的色阻;

在所述彩膜层上形成第二覆盖层。

12.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述发光层上形成阴极层之后,还包括:在所述阴极层远离所述发光层的一侧进行微氧化处理。

13.根据权利要求11所述的显示面板的制作方法,其特征在于,所述在所述发光层上形成阴极层,包括:在所述发光层上依次形成吸光层和所述阴极层;或者,在所述发光层上依次形成所述阴极层和吸光层。

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