[发明专利]显示面板、显示装置及显示面板的制作方法在审
申请号: | 202110138121.2 | 申请日: | 2021-02-01 |
公开(公告)号: | CN112885885A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 李远航 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 王红红 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 制作方法 | ||
本申请公开了一种显示面板、显示装置及制作方法,其中,显示面板包括衬底基板以及沿远离衬底基板方向依次设置的薄膜晶体管层、阳极层、像素定义层、发光层、阴极层、封装层和彩膜层;其中,薄膜晶体管层包括薄膜晶体管,阳极层包括与薄膜晶体管电连接的阳极,像素定义层对应阳极的位置开设有像素开口,且像素定义层由遮光材料制成,发光层位于像素开口内,彩膜层设置于封装层内,且彩膜层包括与像素开口位置对应的色阻。本申请采用遮光材料制作像素定义层,并将彩膜层设置于封装层内,缩短发光层与彩膜层间的距离,提高显示面板透光率,增大显示面板可视角。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。
背景技术
随着OLED Display日益朝着轻薄化、低功耗、高可靠性方向发展,当前,OLEDDisplay在移动显示领域采用顶发射的器件结构设计以获得高开口率、高色纯度的显示效果;同时也导致OLED面板本身具有高反射率,降低了强光下的可读性。现有OLED显示产品必须通过添加圆偏光片来提高对比度。偏光片(POL)能够有效地降低强光下面板的反射率,却损失了接近58%的出光。这对于OLED来说,极大地增加了其寿命负担;另一方面,偏光片厚度较大、材质脆,不利于动态弯折产品的开发。
目前,一些公司以及研究机构提出了在薄膜封装上制作彩色滤光片替代圆偏光片的技术,彩色滤光片本身的透过光谱与OLED像素发射光谱高度匹配,这种技术能够使OLED获得更高的穿透率(>60%),更低的厚度(Pol-less<5μm)。但是,这种在薄膜封装层上制作彩色滤光片替代偏光片的技术却存在黄光制程复杂、良率低;黑色矩阵开口与OLED像素之间的封装层距离(>10μm)大,导致面板可视角变小等不足。
发明内容
本申请实施例提供一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法,以解决由于发光层与彩膜层距离大,导致显示面板透光率低、可视角小的问题。
本申请实施例提供一种显示面板,包括:
衬底基板;
薄膜晶体管层,设置在所述衬底基板上,所述薄膜晶体管层包括薄膜晶体管;
阳极层,设置于所述薄膜晶体管层上,所述阳极层包括与所述薄膜晶体管电连接的阳极;
像素定义层,设置于所述薄膜晶体管层和所述阳极层上,所述像素定义层对应所述阳极的位置开设有像素开口,所述像素定义层由遮光材料制成;
发光层,设置于所述阳极层上,并位于所述像素开口内;
阴极层,设置于所述发光层上;
封装层,设置于所述像素定义层和所述阴极层上;
彩膜层,设置于所述封装层内,所述彩膜层包括与所述像素开口位置对应的色阻
在一些实施例中,所述色阻至少部分位于所述像素开口内。
在一些实施例中,所述像素开口在所述像素定义层远离所述薄膜晶体管层的方向上逐渐扩张。
在一些实施例中,所述像素开口包括沿所述像素定义层远离所述薄膜晶体管层的方向依次连通的第一扩张段和第二扩张段,所述第一扩张段靠近所述第二扩张段的一端具有第一开口,所述第二扩张段靠近所述第一扩张段的一端具有第二开口,所述第一开口的面积小于所述第二开口的面积。
在一些实施例中,所述第一扩张段至少一个侧面与所述像素定义层表面形成的夹角小于或等于45°。
在一些实施例中,所述封装层包括沿远离所述像素定义层方向依次设置的第一子封装层、第二子封装层和第三子封装层,所述彩膜层位于所述第一子封装层和所述第二子封装层之间。
在一些实施例中,所述遮光材料的光密度范围大于或等于3.5且小于或等于4.5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的