[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成存储器阵列的方法，其包括：

在上方形成数字线并且所述数字线电耦合到其下方的存储器单元，所述数字线在竖直横截面中彼此横向间隔开，向上开放的空隙空间横向地位于所述竖直横截面中的紧邻的所述数字线之间；

用掩蔽材料覆盖所述数字线的导电材料，所述掩蔽材料在所述向上开放的空隙空间中并且不足以填满所述向上开放的空隙；

从所述数字线的顶部正上方去除所述掩蔽材料以暴露导电数字线材料，并在所述向上开放的空隙空间中的所述导电数字线材料的侧壁上方留下所述掩蔽材料；以及

相对于所述掩蔽材料跨越所述向上开放的空隙空间从暴露的导电数字线材料选择性地生长绝缘材料以在所述竖直横截面中的所述紧邻数字线之间形成覆盖的空隙空间。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括延伸穿过竖直交替的绝缘层和导电层的沟道材料串，所述存储器单元单独地包括：

所述沟道材料串中的一个的沟道材料；

栅极区，其为所述导电层中的一个中的导电线的部分；以及

存储器结构，其横向地位于所述栅极区与所述一个导电层中的所述一个沟道材料串的所述沟道材料之间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述向上开放的空隙空间包括所述竖直横截面中的所述紧邻数字线之间的相应基底；

所述覆盖包括用所述掩蔽材料覆盖所述基底；并且

所述去除包括从所述基底的中心去除所述掩蔽材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述数字线正下方形成导电通孔并且所述导电通孔直接电耦合到所述数字线中的个别数字线，所述覆盖包括形成沿着所述导电通孔的侧壁在所述数字线的底部下方延伸的所述掩蔽材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩蔽材料是绝缘的，并且在成品电路构造中保持在所述导电数字线材料的所述侧壁上方。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩蔽材料是半导电的，并且在成品电路构造中保持在所述导电数字线材料的所述侧壁上方。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩蔽材料是导电的，并且在成品电路构造中保持在所述导电数字线材料的所述侧壁上方。

8.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述选择性地生长之前处理所述掩蔽材料以实现所述选择性地生长。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述去除在所述竖直横截面中的所述导电数字线材料的所有所述侧壁上方留下所述掩蔽材料，所述选择性地生长仅来自所述导电数字线材料的顶部。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述去除在所述竖直横截面中暴露所述导电数字线材料的所述侧壁的最上部部分，并且在所述竖直横截面中留下由所述掩蔽材料覆盖的所述导电数字线材料的所述侧壁的大部分；

所述选择性地生长来自所述导电数字线材料的所述顶部和最上部侧壁部分；并且

所述覆盖的空隙空间具有在所述数字线的所述顶部下方的相应顶部。

11.根据权利要求10所述的方法，其包括在所述数字线正下方形成导电通孔并且所述导电通孔直接电耦合到所述数字线中的个别数字线，所述侧壁的所述最上部部分不超过所述数字线从其相应顶部到其相应底部的高度的15％。

12.根据权利要求1所述的方法，其包括形成所述覆盖的空隙空间以具有在所述数字线的所述顶部上方的相应顶部。

13.根据权利要求1所述的方法，其包括：

在所述数字线正下方形成导电通孔并且所述导电通孔直接电耦合到所述数字线中的个别数字线；以及

形成所述覆盖的空隙空间以具有在所述数字线的底部下方的相应底部。