[发明专利]存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法

说明书

本申请案涉及存储器阵列和用于形成存储器阵列的方法。一种用于形成存储器阵列的方法包括在上方形成数字线并且所述数字线电耦合到其下方的存储器单元。所述数字线在竖直横截面中相对于彼此横向间隔开。向上开放的空隙空间横向地位于所述竖直横截面中的紧邻的所述数字线之间。用掩蔽材料覆盖所述数字线的导电材料，所述掩蔽材料在所述向上开放的空隙空间中并且不足以填满所述向上开放的空隙。从所述数字线的顶部正上方去除所述掩蔽材料以暴露导电数字线材料，并在所述向上开放的空隙空间中的所述导电数字线材料的侧壁上方留下所述掩蔽材料。绝缘材料相对于所述掩蔽材料跨越所述向上开放的空隙空间从暴露的导电数字线材料选择性地生长以形成在所述竖直横截面中的所述紧邻数字线之间的覆盖的空隙空间。公开了与方法无关的结构。

技术领域

本文中所公开的实施例涉及存储器阵列且涉及用于形成存储器阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可被制造在个别存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称为字线)对存储器单元进行写入或从存储器单元进行读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。每个存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可以是易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长的时间段。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年的保留时间的存储器。易失性存储器会耗散，且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元经配置以用至少两个不同的可选择状态来保持或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个信息电平或状态。

场效应晶体管是可用于存储器单元中的一种类型的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区，所述一对导电源极/漏极区在其间具有半导电沟道区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与所述沟道区间隔开。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一个流动到另一个。当从栅极去除电压时，在很大程度上防止了电流流动通过沟道区。场效应晶体管还可包含额外结构，例如，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分的可逆编程电荷存储区。

快闪存储器是一种类型的存储器，且大量用于现代计算机和装置中。举例来说，现代个人计算机可将BIOS存储在快闪存储器芯片上。作为另一实例，越来越常见的是，计算机和其它装置利用固态驱动器中的快闪存储器来替代常规硬盘驱动器。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中普及，这是因为快闪存储器使得制造商能够在新的通信协议变得标准化时支持所述新的通信协议，且使得制造商能够针对增强特征远程升级装置。

NAND可以是集成快闪存储器的基本架构。NAND单元装置包括与存储器单元的串联组合进行串联耦合的至少一个选择装置(其中所述串联组合通常称为NAND串)。NAND架构可以三维布置来配置，所述三维布置包括竖直堆叠的存储器单元，所述竖直堆叠的存储器单元单独地包括可逆编程的竖直晶体管。控制电路系统或其它电路系统可形成于竖直堆叠的存储器单元下方。其它易失性或非易失性存储器阵列架构也可包括单独地包括晶体管的竖直堆叠的存储器单元。

存储器阵列可布置于存储器页、存储器块和部分块(例如，子块)和存储器平面中，例如第2015/0228651号、第2016/0267984号和第2017/0140833号美国专利申请公开案中的任一个中所展示和描述。存储器块可至少部分地限定竖直堆叠的存储器单元的个别字线层中的个别字线的纵向轮廓。与这些字线的连接可在竖直堆叠的存储器单元的阵列的末端或边缘处所谓的“阶梯结构”中发生。阶梯结构包含个别“台阶”(替代地称为“阶”或“阶梯”)，其限定个别字线的接触区，竖向延伸的导电通孔在所述接触区上接触以提供对字线的电接入。

发明内容