[发明专利]工作台装置、供电机构和处理装置在审
申请号: | 202110140802.2 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN113327881A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 武田聪 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67;C23C14/34;C23C14/50 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;刘芃茜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 工作台 装置 供电 机构 处理 | ||
本发明提供为在工作台的下方具有冷却部的结构,并且具有不易发生对静电吸盘的供电异常的容易安装的供电机构的工作台装置、供电机构和处理装置。工作台装置包括:具有铜制的主体部和静电吸盘的工作台;设置于工作台的下方的冷却部;以及从设置于工作台的下方的直流电源对静电吸盘的电极进行供电的供电机构,供电机构包括:在工作台的外周彼此隔开间隔地设置的一对端子部;具有一对金属棒的第1供电线,该一对金属棒的一端连接到直流电源,向工作台侧延伸,且彼此隔开间隔地设置;具有一对金属棒的第2供电线,该一对金属棒的一端连接到一对端子部,且彼此隔开间隔地设置;以及连接部,其将第1供电线的金属棒与第2供电线的金属棒连接。
技术领域
本发明涉及工作台装置、供电机构和处理装置。
背景技术
在电子器件的制造工序中,有时进行极低温下的成膜处理,在专利文献1中公开了在这样的极低温处理中用于吸附保持基片的静电吸盘。
在专利文献1中,在工作台的外周部设置端子,从外部的电源经由该端子对静电吸盘的吸附电极供电。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2015-226010号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
本发明提供为在工作台的下方具有冷却部的结构,并且具有不易产生对静电吸盘的供电异常的容易安装的供电机构的工作台装置、供电机构和处理装置。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个方式的工作台装置能够在处理基片的处理装置的保持为真空的处理容器内保持基片,所述工作台装置包括:工作台,其具有铜制的主体部和设置于所述主体部之上的静电吸盘,所述静电吸盘内置吸附电极并对基片进行吸附保持;设置于所述工作台的下方的冷却部,其对所述工作台进行冷却;以及供电机构,其从设置于所述工作台的下方的直流电源对所述吸附电极进行供电,所述供电机构包括:在所述工作台的外周彼此隔开间隔地设置的一对端子部,其具有分别与所述吸附电极的正极侧和负极侧连接的连接部;具有一对金属棒的第1供电线,所述一对金属棒的一端分别连接到所述直流电源的正极侧和负极侧,向所述工作台侧延伸,且彼此隔开间隔地设置;具有一对金属棒的第2供电线,所述一对金属棒的一端分别连接到所述一对端子部,且彼此隔开间隔地设置;以及连接部,其将所述第1供电线的所述一对金属棒各自的另一端分别与所述第2供电线的所述一对金属棒各自的另一端连接。
发明效果
依照本发明,提供为在工作台的下方具有冷却部的结构并且具有不易产生对静电吸盘的供电异常的容易安装的供电机构的工作台装置、供电机构和处理装置。
附图说明
图1是表示设有第1实施方式的工作台装置的处理装置的一个例子的概要截面图。
图2是表示第1实施方式的工作台装置的主要部分的立体图。
图3是表示设有第2实施方式的工作台装置的处理装置的一个例子的概要截面图。
图4是表示第2实施方式的工作台装置的主要部分的立体图。
附图标记说明
1、1’:处理装置
10:处理容器
30:靶材
50、50’:工作台装置
52:工作台
53:主体部
54:静电吸盘
54b:吸附电极
56、156:供电机构
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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