[发明专利]一种无损电源切换电路在审
| 申请号： | 202110142018.5 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN112821542A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 纪珂;曾佳;范宣禄 | 申请（专利权）人： | 上海创程车联网络科技有限公司 |
| 主分类号： | H02J9/06 | 分类号： | H02J9/06 |
| 代理公司： | 上海智力专利商标事务所(普通合伙) 31105 | 代理人： | 周涛 |
| 地址： | 201101 上海市闵行区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 无损 电源 切换 电路 | ||
【权利要求书】：
1.一种无损电源切换电路，其特征在于，包括电源一、电源二、电源开关电路一、电路开关电路二、电压比较电路、负载，所述电源一依次连接电源开关电路一、负载，所述电源一通过电源开关电路一为负载供电；所述电源二依次连接电源开关电路二、负载，所述电源二通过电源开关电路二为负载供电；所述电压比较电路连接在电源开关电路一和电路开关电路二之间。
2.根据权利要求1所述的一种无损电源切换电路，其特征在于，所述电源开关电路一包括MOSFET1、MOSFET2，所述电源开关二包括MOSFET3、MOSFET4，所述电源一依次连接MOSFET1、MOSFET2和负载；所述电源二依次连接MOSFET3、MOSFET4和负载。
3.根据权利要求2所述的一种无损电源切换电路，其特征在于，所述电压比较电路连接在MOSFET1和MOSFET3之间，电压比较电路控制MOSFET1和MOSFET3打开或者关断。
4.根据权利要求2所述的一种无损电源切换电路，其特征在于，所述MOSFET1和MOSFET2为P沟道型MOSFET；所述MOSFET3和MOSFET4为N沟道型MOSFET。
5.根据权利要求1所述的一种无损电源切换电路，其特征在于，所述电源一或电源二为负载供电。
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