[发明专利]一种无损电源切换电路

说明书

本发明涉及一种无损电源切换电路，包括电源一、电源二、电源开关电路一、电路开关电路二、电压比较电路、负载，电源一依次连接电源开关电路一、负载，电源一通过电源开关电路一为负载供电；电源二依次连接电源开关电路二、负载，电源二通过电源开关电路二为负载供电；电压比较电路连接在电源开关电路一和电路开关电路二之间。本发明的电路完全由硬件电路构件，可靠性高，稳定性好，可以实现双电源供电的自动切换，电路损耗较小，电源利用率高。

技术领域

本发明涉及电源供电领域，具体涉及一种无损电源切换电路。

背景技术

在电气领域，一些设备采取双电源供电，供电过程中可能需要或者发生供电电源切换的问题，当前电源切换大多是利用二极管的单向导通性，这种方式下虽然处理成本低，但是在一些大电流的应用下，损耗较大，损耗甚至可以达到20％。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种无损耗电源切换电路，无需借助单片机和程序控制，完全基于电子器件构成，功耗较小、安全性和稳定性较高，本发明的技术目的是通过以下技术方案实现的：

一种无损电源切换电路，包括电源一、电源二、电源开关电路一、电路开关电路二、电压比较电路、负载，电源一依次连接电源开关电路一、负载，电源一通过电源开关电路一为负载供电；电源二依次连接电源开关电路二、负载，电源二通过电源开关电路二为负载供电；电压比较电路连接在电源开关电路一和电路开关电路二之间。

进一步地，电源开关电路一包括MOSFET1、MOSFET2，电源开关二包括MOSFET3、MOSFET4，电源一依次连接MOSFET1、MOSFET2和负载；电源二依次连接MOSFET3、MOSFET4和负载；电源一通过MOSFET1和MOSFET2为负载供电，电源二通过MOSFET3和MOSFET4为负载供电；当电源二供电时，MOSFET1关断，MOSFET3打开，MOSFET2防止电源二的电压反灌到电源一；当电源一供电时，MOSFET1打开，MOSFET3关断，MOSFET4防止电源一的电压反灌到电源二。

进一步地，电压比较电路连接在MOSFET1和MOSFET3之间，电压比较电路控制MOSFET1和MOSFET3打开或者关断。

进一步地，MOSFET1和MOSFET2为P沟道型MOSFET；MOSFET3和MOSFET4为N沟道型MOSFET。

进一步地，电源一或电源二为负载供电。

相比现有技术，本发明的有益效果在于：

1、本发明的电路完全由硬件电路构件，可靠性高，稳定性好，可以实现双电源供电的自动切换；

2、本发明的电路损耗较小，电源利用率高。

附图说明

图1是本发明的无损电源切换电路结构示意图。

图中，1、电源一；2、MOSFET1；3、MOSFET2；4、电源二；5、MOSFET3；6、MOSFET4；7、电压比较电路；8、负载。

具体实施方式

下面结合具体实施方式对本发明的技术方案进行进一步描述：

一种无损电源切换电路，如图1所示，包括电源一1、电源二4、电源开关电路一、电源开关电路二、电压比较电路7、负载8，电源一1依次连接电源开关电路一、负载8，电源二4依次连接电源开关电路二、负载8；电源一1通过电源开关电路一为负载8供电，电源二4通过电源开关电路二为负载8供电；当电源一1为负载8供电时，若电源一1不能为负载供电时，自动切换电源二4为负载8供电；电源二4为负载8供电时，若电源二4不能为负载8供电，则自动切换电源一1为负载8供电。电压比较电路7连接在电源开关电路一和电源开关电路二之间，通过电压比较电路7判断供电电源是电源一1还是电源二4。