[发明专利]一种适应于光刻机晶圆的寻边机构在审
申请号: | 202110144324.2 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN112820670A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 钟敏 | 申请(专利权)人: | 上海图双精密装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;G03F7/20 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 沈栋栋 |
地址: | 201712 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适应 光刻 机晶圆 机构 | ||
1.一种适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,包括底板、底座、支撑套筒、晶圆支撑平台、升降环、晶圆限位机构、第一晶圆清洗机构、第二晶圆清洗机构、驱动机构和晶圆检测单元,其中,底座设于所述底板上,所述底座的上端设有所述支撑套筒,所述支撑套筒的上端设有所述晶圆支撑平台,所述晶圆支撑平台上设有所述第一晶圆清洗机构,所述支撑套筒的外缘设有所述升降环,所述升降环的外缘设有若干所述晶圆限位机构,所述晶圆支撑平台位于若干所述晶圆限位机构之间形成的区域内,所述底座的外缘设有所述驱动机构,所述驱动机构上设有所述晶圆检测单元,所述底座的一侧设有所述第二晶圆清洗机构。
2.如权利要求1所述的适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,每一所述晶圆限位机构均包括第一伸缩杆和第二伸缩杆,其中,第一伸缩杆的一端与升降环的外缘连接,第二伸缩杆的一端与第一伸缩杆的另一端连接,且第一伸缩杆与第二伸缩杆垂直,第二伸缩杆位于第一伸缩杆的上端。
3.如权利要求1所述的适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,所述晶圆检测单元包括伸缩臂、支杆和寻边传感器,其中,伸缩臂的一端与所述驱动机构连接,所述支杆与所述伸缩臂的另一端连接并与所述伸缩臂垂直,在所述支杆的上端设有所述寻边传感器,且所述寻边传感器由上至下向靠近所述晶圆支撑平台方向倾斜设置。
4.如权利要求3所述的适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,所述寻边传感器的倾斜角度为45°。
5.如权利要求1所述的适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,所述第一晶圆清洗机构包括第一氮气喷头和第二氮气喷头,其中,所述晶圆支撑平台的上表面开设有安装孔和安装槽,其中,安装槽呈环状,且安装槽设于安装孔的外缘,第一氮气喷头设有安装孔内,若干第二氮气喷头均匀的设于安装槽内。
6.如权利要求5所述的适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,所述第一氮气喷头竖直设置,若干所述第二氮气喷头均右下至上向远离第一氮气喷头的方向倾斜设置,且每一所述第二氮气喷头的倾斜角度均为45°。
7.如权利要求6所述的适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,所述第一氮气喷头以及每一所述第二氮气喷头的上表面分别与所述晶圆支撑平台的上表面齐平。
8.如权利要求5所述的适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,还包括氮气输送管,其中,所述晶圆支撑平台的内部设有氮气缓冲腔,所述氮气输送管设于所述支撑套筒内,且所述氮气输送管与所述氮气缓冲腔连通,所述氮气缓冲腔分别与所述第一氮气喷头和若干所述第二氮气喷头连通。
9.如权利要求1所述的适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,所述第二晶圆清洗机构包括氮气输送管道和喷头机构,其中,所述氮气输送管道的一端与所述底板固定连接,所述氮气输送管道的另一端延伸至所述晶圆支撑平台的上侧,且所述喷头机构安装在所述氮气输送管道的另一端。
10.如权利要求9所述的适应于光刻机晶圆的寻边机构,其特征在于,所述喷头机构包括第一氮气喷嘴和第二氮气喷嘴,其中,所述第一氮气喷嘴设于所述喷头机构的中部,所述第一氮气喷嘴的外缘设有若干所述第二氮气喷嘴,其中,所述第一氮气喷嘴与所述第一氮气喷头相正对,每一所述第二氮气喷嘴分别与一所述第二氮气喷头相正对。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造