[发明专利]一种适应于光刻机晶圆的寻边机构在审
申请号: | 202110144324.2 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN112820670A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 钟敏 | 申请(专利权)人: | 上海图双精密装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;G03F7/20 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 沈栋栋 |
地址: | 201712 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 适应 光刻 机晶圆 机构 | ||
本发明公开了一种适应于光刻机晶圆的寻边机构,涉及到半导体技术领域,包括底板、底座、支撑套筒、晶圆支撑平台、升降环、晶圆限位机构、第一晶圆清洗机构、第二晶圆清洗机构、驱动机构和晶圆检测单元,其中,底座设于底板上,底座的上端设有支撑套筒,支撑套筒的上端设有晶圆支撑平台,晶圆支撑平台上设有第一晶圆清洗机构,支撑套筒的外缘设有升降环,升降环的外缘设有若干晶圆限位机构,晶圆支撑平台位于若干晶圆限位机构之间形成的区域内,底座的外缘设有驱动机构,驱动机构上设有晶圆检测单元,底座的一侧设有第二晶圆清洗机构。其能够在晶圆不转动的情况下实现对不同尺寸的晶圆进行定位、寻边操作,同时也能够对晶圆的上下表面进行清洗。
技术领域
本发明涉及到半导体技术领域,尤其涉及到一种适应于光刻机晶圆的寻边机构。
背景技术
半导体行业往往通过缺口(notch)来确定硅片的位置,实现硅片对边。缺口(Notch)是指特意在晶圆(wafer)上形成的一个缺角。
现有的定位寻边装置一般都是放在真空吸盘上,通过真空吸盘控制晶圆旋转,达到寻边目的,然而晶圆旋转过程中易产生振动,导致晶圆出现损伤,其次晶圆在传输至定位寻边装置上时,需要经过多重传递工序,易导致晶圆表面粘附到杂质、颗粒物等,影响对后续晶圆的处理。
发明内容
本发明的目的在于提供一种适应于光刻机晶圆的寻边机构,用于解决上述技术问题。
本发明采用的技术方案如下:
一种适应于光刻机晶圆的寻边机构,包括底板、底座、支撑套筒、晶圆支撑平台、升降环、晶圆限位机构、第一晶圆清洗机构、第二晶圆清洗机构、驱动机构和晶圆检测单元,其中,底座设于所述底板上,所述底座的上端设有所述支撑套筒,所述支撑套筒的上端设有所述晶圆支撑平台,所述晶圆支撑平台上设有所述第一晶圆清洗机构,所述支撑套筒的外缘设有所述升降环,所述升降环的外缘设有若干所述晶圆限位机构,所述晶圆支撑平台位于若干所述晶圆限位机构之间形成的区域内,所述底座的外缘设有所述驱动机构,所述驱动机构上设有所述晶圆检测单元,所述底座的一侧设有所述第二晶圆清洗机构。
作为优选,每一所述晶圆限位机构均包括第一伸缩杆和第二伸缩杆,其中,第一伸缩杆的一端与升降环的外缘连接,第二伸缩杆的一端与第一伸缩杆的另一端连接,且第一伸缩杆与第二伸缩杆垂直,第二伸缩杆位于第一伸缩杆的上端。
作为优选,所述晶圆检测单元包括伸缩臂、支杆和寻边传感器,其中,伸缩臂的一端与所述驱动机构连接,所述支杆与所述伸缩臂的另一端连接并与所述伸缩臂垂直,在所述支杆的上端设有所述寻边传感器,且所述寻边传感器由上至下向靠近所述晶圆支撑平台方向倾斜设置。
作为进一步的优选,所述寻边传感器的倾斜角度为45°。
作为优选,所述第一晶圆清洗机构包括第一氮气喷头和第二氮气喷头,其中,所述晶圆支撑平台的上表面开设有安装孔和安装槽,其中,安装槽呈环状,且安装槽设于安装孔的外缘,第一氮气喷头设有安装孔内,若干第二氮气喷头均匀的设于安装槽内。
作为进一步的优选,所述第一氮气喷头竖直设置,若干所述第二氮气喷头均右下至上向远离第一氮气喷头的方向倾斜设置,且每一所述第二氮气喷头的倾斜角度均为45°。
作为进一步的优选,所述第一氮气喷头以及每一所述第二氮气喷头的上表面分别与所述晶圆支撑平台的上表面齐平。
作为进一步的优选,还包括氮气输送管,其中,所述晶圆支撑平台的内部设有氮气缓冲腔,所述氮气输送管设于所述支撑套筒内,且所述氮气输送管与所述氮气缓冲腔连通,所述氮气缓冲腔分别与所述第一氮气喷头和若干所述第二氮气喷头连通。
作为优选,所述第二晶圆清洗机构包括氮气输送管道和喷头机构,其中,所述氮气输送管道的一端与所述底板固定连接,所述氮气输送管道的另一端延伸至所述晶圆支撑平台的上侧,且所述喷头机构安装在所述氮气输送管道的另一端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造