[发明专利]一种晶圆的解键合方法在审
| 申请号： | 202110145304.7 | 申请日： | 2021-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN112967993A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 夏建文;黄明起;叶振文;刘彬灿;易玉玺 | 申请（专利权）人： | 深圳市化讯半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 潘登 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 解键合 方法 | ||
1.一种晶圆的解键合方法，其特征在于，所述晶圆的解键合方法包括如下步骤：
(1)将键合的晶圆输入清洗腔；
(2)使用清洗腔中的喷嘴头对准所述键合的晶圆的边缘，喷出溶剂；
(3)去除所述键合的晶圆的边缘溢胶；
(4)对步骤(3)得到的键合的晶圆进行干燥；
(5)将干燥后的键合的晶圆输入激光扫射平台进行解键合；
步骤(2)中所述喷嘴头的压力为0.1-10MPa。
2.根据权利要求1所述的晶圆的解键合方法，其特征在于，步骤(2)中所述喷嘴头与键合的晶圆的夹角为0-90°。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆的解键合的方法，其特征在于，步骤(3)中采用刮刀形状或毛刷形状的溢胶处理部件去除所述键合的晶圆的边缘溢胶。
4.根据权利要求3所述的晶圆的解键合方法，其特征在于，所述溢胶处理部件的材质为聚乙烯、聚丙烯、聚四氟乙烯或海绵块中的任意一种或至少两种的组合。
5.根据权利要求1-4任一项所述的晶圆的解键合方法，其特征在于，步骤(2)具体包括：将键合的晶圆通过真空吸附在转盘上旋转，使用清洗腔中的喷嘴头对准旋转的键合的晶圆的边缘，喷出溶剂。
6.根据权利要求1-5任一项所述的晶圆的解键合方法，其特征在于，步骤(3)具体包括：去除所述旋转中的键合的晶圆的边缘溢胶。
7.根据权利要求6所述的晶圆的解键合方法，其特征在于，步骤(2)和步骤(3)中，所述键合的晶圆旋转的速度各自独立地为50-5000rpm。
8.根据权利要求6或7所述的晶圆的解键合方法，其特征在于，所述键合的晶圆在步骤(2)和步骤(3)中旋转的总时间为10-300秒。
9.根据权利要求1-8任一项所述的晶圆的解键合方法，其特征在于，步骤(4)中所述干燥是通过吹氮气实现的；
优选地，步骤(5)中所述解键合包括激光扫射和吸盘分离两步操作。
10.根据权利要求1-9任一项所述晶圆的解键合方法，其特征在于，所述激光解键合方法包括如下步骤：
(1)将键合的晶圆输入清洗腔；
(2)将键合的晶圆通过真空吸附在转盘上以50-5000rpm的速度旋转，调整清洗腔中的喷嘴头与晶圆的夹角为0-90°，将喷嘴头对准旋转的键合的晶圆的边缘，调整喷嘴头的压力为50-1000KPa，喷出溶剂；
(3)采用清洗腔中刮刀形状或毛刷形状的溢胶处理部件去除旋转中的键合的晶圆的边缘溢胶；
(4)对步骤(3)所述键合的晶圆吹氮气干燥；
(5)将干燥后的键合的晶圆输入激光扫射平台，进行激光扫射和吸盘分离，得到解键合的晶圆。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
