[发明专利]一种晶圆的解键合方法

说明书

本发明涉及一种晶圆的解键合方法，所述晶圆的解键合方法包括如下步骤：(1)将键合的晶圆输入清洗腔；(2)使用清洗腔中的喷嘴头对准所述键合的晶圆的边缘，喷出溶剂；(3)去除所述键合的晶圆的边缘溢胶；(4)对步骤(3)得到的键合的晶圆进行干燥；(5)将干燥后的键合的晶圆输入激光扫射平台进行解键合；步骤(2)中所述喷嘴头的压力为0.1‑10MPa。本发明所述晶圆的解键合方法中通过调整清洗腔中的喷嘴头的压力，使其对准边缘溢胶喷出适量的溶剂溶解边缘溢胶并去除，整个工艺过程简单，耗时短，利于提高晶圆的生产效率。

技术领域

本发明涉及激光解键合技术领域，尤其涉及一种晶圆的解键合方法。

背景技术

紫外激光解键合技术一般需要两种临时键合材料配合使用，即一层激光释放材料层，一层临时键合粘结材料层。临时键合材料主要用于粘结晶圆片和载片。激光释放材料层是指其在受激光照射时，可分解脱粘的材料层，实现解键合的作用。但在实际使用过程中，激光解键合工艺往往还需要人工辅助和机械外力分离晶圆对，其中主要原因是由于边缘效应，临时键合胶旋涂时会造成边缘位置胶层厚度胶中间区域厚的现象，在热压键合时，由于高温流变性能，容易出现溢胶现象，溢胶的部分粘住晶圆对外延部分，即使通过优化旋涂工艺，也不能有效减少溢胶现象。因此激光照射后，边缘部分未能被顺利解粘。而实际生产作业过程中，则需要辅助手动刮除溢胶部分或者其他手段除去溢胶，以实现解键合，大大降低了生产效率。同时，如果未能除胶干净而进行作业，很可能造成分离破片的风险，良率无法保证。

CN111755377A公开了一种晶圆解键合方法，其公开的解键合方法包括以下步骤：步骤一、将硅晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除；步骤二、将硅晶圆与载片解键合。步骤一所述的刻蚀去除方法包括在晶圆侧制备掩模层，所述的掩模层材料采用正性或负性光刻胶，通过曝光及显影过程去除硅晶圆边缘的光刻胶；再通过干法刻蚀工艺对硅晶圆的外圈直接进行刻蚀。针对薄晶圆临时键合胶变性以及“胶挤出”问题，其公开了一种解键合前处理方法，通过掩模制备、刻蚀去边等前处理工艺将晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除，再进行解键合制程，解决了由于临时键合胶变性导致的无法顺利进行解键合的问题，规避了碎片风险。其公开的解键合方法操作较为复杂，不能有效提高生产效率。

CN111627845A公开了一种拆键合装置及其拆键合的方法，其公开的拆键合装置能够利用滚轴的变形促使胶带与半导体基底的边缘接触并粘附，以此增强胶带与半导体基底的粘附力，使胶带能有效地去除半导体基底上的键合胶，提高生产效率，降低生产成本，但是其公开的拆键合的方法虽然能够在一定程度上提高生产效率，但是从清除玻璃边缘表面附着的临时键合残胶的角度来看，其对后续玻璃的清洗效率的提高仍然有限。

综上所述，开发一种方法简单易操作且高效的晶圆解键合的方法至关重要。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种晶圆的解键合方法，所述晶圆的解键合方法简单易操作，高效，利于提高晶圆的生产效率。

为达此目的，本发明采用以下技术方案：

本发明提供一种晶圆的解键合方法，所述晶圆的解键合方法包括如下步骤：

(1)将键合的晶圆输入清洗腔；

(2)使用清洗腔中的喷嘴头对准所述键合的晶圆的边缘，喷出溶剂；

(3)去除所述键合的晶圆的边缘溢胶；

(4)对步骤(3)得到的键合的晶圆进行干燥；

(5)将干燥后的键合的晶圆输入激光扫射平台进行解键合；

步骤(2)中所述喷嘴头的压力为0.1-10MPa，例如1MPa、2MPa、3MPa、4MPa、5MPa、6MPa、7MPa、8MPa、9MPa等。