[发明专利]显示面板

权利要求书

1.一种显示面板，其特征在于，包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容和第二电容；

所述第一薄膜晶体管的栅极连接所述第一电容的第二电极板、所述第二电容的第一电极板、所述第三薄膜晶体管的第一电极、所述第四薄膜晶体管的第二电极于第一节点，所述第一薄膜晶体管的第一电极连接所述第五薄膜晶体管的第二电极和所述第二薄膜晶体管的第二电极于第二节点，所述第一薄膜晶体管的第二电极连接所述第三薄膜晶体管的第二电极和所述第六薄膜晶体管的第一电极于第三节点；所述第二薄膜晶体管的栅极连接所述第二电容的第二电极板且同时接入第一扫描信号，所述第二薄膜晶体管的第一电极接入数据信号；所述第三薄膜晶体管的栅极接入第二扫描信号；所述第四薄膜晶体管的栅极接入第三扫描信号，所述第四薄膜晶体管的第一电极接入第二初始化信号；所述第五薄膜晶体管的栅极连接所述第六薄膜晶体管的栅极于第四节点，且同时接入发光控制信号，所述第五薄膜晶体管的第一电极连接所述第一电容的第一电极板且同时接入电源信号；所述第六薄膜晶体管的第二电极连接所述第七薄膜晶体管的第二电极和发光器件于第五节点；所述第七薄膜晶体管的第一电极接入第一初始化信号；

所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管为氧化物晶体管，所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管、所述第五薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管和所述第七薄膜晶体管为低温多晶硅晶体管；

所述第三薄膜晶体管的沟道两侧分别设置有第一过孔和第二过孔，所述第三薄膜晶体管的源极和漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接氧化物有源层；所述第四薄膜晶体管的沟道两侧分别设置有第三过孔和第四过孔，所述第四薄膜晶体管的源极和漏极分别通过所述第三过孔和所述第四过孔连接所述氧化物有源层；所述第三薄膜晶体管的源极和所述第四薄膜晶体管的漏极通过连接线连接，所述连接线位于源漏极层内。

2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔到所述第三薄膜晶体管的沟道的距离和所述第二过孔到所述第三薄膜晶体管的沟道的距离相同。

3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔和所述第二过孔关于所述第三薄膜晶体管的沟道对称设置。

4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一过孔的孔径和所述第二过孔的孔径相同。

5.如权利要求1至4中任意一项所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板包括层叠设置的第二栅极层、所述氧化物有源层、第三栅极层和第一源漏极层；所述第二栅极层形成所述氧化物晶体管的底栅结构，所述氧化物有源层形成所述氧化物晶体管的沟道，所述第三栅极层形成所述氧化物晶体管的顶栅结构，所述第一源漏极层形成所述氧化物晶体管的源极和漏极。

6.如权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括低温多晶硅有源层和第一栅极层，所述第一栅极层形成所述低温多晶硅晶体管的底栅结构，所述第二栅极层形成所述低温多晶硅晶体管的顶栅结构，所述第一源漏极层为所述低温多晶硅晶体管的源漏极层且形成所述低温多晶硅晶体管的源极和漏极；所述低温多晶硅有源层、所述第一栅极层、所述第二栅极层、所述氧化物有源层有源层、所述第三栅极层和所述第一源漏极层依次叠层设置。

7.如权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括第二源漏极层，所述第二源漏极层设置于所述第一源漏极层远离所述第三栅极层高的一侧，所述第二源漏极层在所述氧化物有源层上的投影覆盖所述第四薄膜晶体管的沟道和所述第三薄膜晶体管的沟道。