[发明专利]显示面板

说明书

本发明实施例公开了一种显示面板，该显示面板包括氧化物晶体管，氧化物晶体管的氧化物有源层和源漏极层之间，氧化物晶体管的沟道两侧分别设置有第一过孔和第二过孔，氧化物晶体管的源极和漏极分别通过第一过孔和第二过孔连接氧化物有源层。本发明通过在氧化物晶体管的沟道两侧分别设置第一过孔和第二过孔，经由第一过孔和第二过孔对氧化物晶体管沟道两侧的区域进行导体化，解决了由于氧化物晶体管的沟道距离过孔的位置较远，导致氧化物晶体管的导体化程度低的技术问题。

技术领域

本发明涉及显示领域，具体涉及一种显示面板。

背景技术

低温多晶氧化物(Low Temperature Polycrystalline Oxide，LTPO)技术由于同时具备了低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-siliconThinFilmTransistor，LTPS TFT)的迁移率高和驱动能力强，以及氧化物薄膜晶体管(Oxide TFT)的漏电流小和功耗低的特点，广泛应用于显示面板领域。

Oxide TFT的导体化工艺通常是通过源漏极层与有源层之间的连接孔进行离子注入来实现，然而，现有LTPO显示面板中Oxide TFT的沟道距离连接孔的位置较远，导致OxideTFT的导体化程度低，显示面板压降大和数据写入不足，进而导致显示面板出现白边现象。

因此，现有LTPO显示面板存在Oxide TFT的导体化程度低的问题，需要解决。

发明内容

本发明实施例提供一种显示面板，以解决现有LTPO显示面板存在Oxide TFT的导体化程度低的问题。

本发明实施例提供一种显示面板，包括氧化物晶体管，在所述氧化物晶体管的氧化物有源层和源漏极层之间，所述氧化物晶体管的沟道两侧分别设置有第一过孔和第二过孔，氧化物晶体管的源极和漏极分别通过所述第一过孔和所述第二过孔连接所述氧化物有源层。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一过孔到所述氧化物晶体管的沟道的距离和所述第二过孔到所述氧化物晶体管的沟道的距离相同。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一过孔和所述第二过孔关于所述氧化物晶体管的沟道对称设置。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述第一过孔的孔径和所述第二过孔的孔径相同。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述显示面板包括层叠设置的第二栅极层、第二有源层、第三栅极层和第一源漏极层；所述第二栅极层形成所述氧化物晶体管的低栅结构，所述第二有源层为所述氧化物薄膜晶体管的所述氧化物有源层且形成所述氧化物晶体管的沟道，所述第三栅极层形成所述氧化物晶体管的顶栅结构，所述第一源漏极层为所述氧化物薄膜晶体管的源漏极层且形成所述氧化物晶体管的源极和漏极。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述显示面板还包括至少一个低温多晶硅晶体管，所述显示面板还包括第一有源层和第一栅极层，所述第一有源层为低温多晶硅有源层，所述第一栅极层形成所述低温多晶硅晶体管的底栅结构，所述第二栅极层形成所述低温多晶硅晶体管的顶栅结构，所述所述第一源漏极层为所述低温多晶硅晶体管的源漏极层且形成所述低温多晶硅晶体管的源极和漏极；所述第一有源层、所述第一栅极层、所述第二栅极层、所述第二有源层、所述第三栅极层和所述第一源漏极层依次叠层设置。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述显示面板还包括第二源漏极层，所述第二源漏极层设置于所述第一源漏极层远离所述第三栅极层高的一侧，所述第二源漏极层在所述第二有源层上的投影覆盖所述氧化物晶体管的沟道。

可选的，在本发明的一些实施例中，所述显示面板两个包括第一氧化物晶体管和第二氧化物晶体管，所述第一氧化物晶体管的源极和所述第二氧化物晶体管的漏极连接。