[发明专利]基于表面电导率的绝缘子自然污秽的试验盐密修正方法在审
| 申请号： | 202110146642.2 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN112964756A | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 曹斌;姚远;刘育豪;包炜杰;温晖 | 申请（专利权）人： | 浙江屹飞电力科技有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/07 | 分类号： | G01N27/07;G01R31/12;G01R31/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311835 浙江省绍兴市诸暨*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 表面 电导率 绝缘子 自然 污秽 试验 修正 方法 | ||
【权利要求书】：
1.基于表面电导率的绝缘子自然污秽的试验盐密修正方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，选取绝缘子表面的某一区域作为污秽可溶盐成分分析区域；
步骤2，在步骤1的分析区域滴入去离子水使其受潮；
步骤3，利用电极测量污层局部表面导电率，至表面导电率稳定后，再向表面滴入195mg/cm2的去离子水；
步骤4，测量污层的局部等值盐密；
步骤5，将步骤3测量的局部表面电导率与步骤4测量的局部等值盐密构建二维正交坐标系，根据数据点位置算污层中的难易溶盐的比例。
2.根据权利要求1所述的基于表面电导率的绝缘子自然污秽的试验盐密修正方法，其特征在于，所述步骤2的去离子水剂量为5mg/cm2。
3.根据权利要求2所述的基于表面电导率的绝缘子自然污秽的试验盐密修正方法，其特征在于，所述步骤3的去离子水剂量为195mg/cm2。
4.根据权利要求1所述的基于表面电导率的绝缘子自然污秽的试验盐密修正方法，其特征在于，所述步骤5采用线性拟合局部表面电导率与局部等值盐密的关系。
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