[发明专利]3D存储器件及其量测方法、薄膜量测装置

权利要求书

1.一种3D存储器件，其特征在于，包括：

衬底；

叠层结构，位于所述衬底上方，用于形成存储阵列；

沟道孔，设置在所述叠层结构上；以及

阻挡层，设置在所述沟道孔中，用于阻挡波长在第一范围内的信号，

其中，所述叠层结构包括：

第一叠层结构，位于所述衬底上方，用于形成存储阵列；

第二叠层结构，位于所述第一叠层结构上方，用于形成存储阵列；

所述沟道孔包括：

第一沟道孔，设置在所述第一叠层结构中，

其中，所述阻挡层设置在所述第一沟道孔中。

2.根据权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，所述阻挡层贯穿所述叠层结构的至少一部分。

3.根据权利要求1所述的3D存储器件，其特征在于，所述阻挡层为前序工艺保留下来的牺牲层。

4.一种3D存储器件的量测方法，其特征在于，包括：

形成衬底；

在所述衬底上方形成叠层结构；

在所述叠层结构中形成沟道孔；

在所述沟道孔中形成阻挡层，所述阻挡层用于阻挡波长在第一范围内的信号；

向所述叠层结构发射所述波长在第一范围内的信号；以及

根据未被所述阻挡层阻挡的所述波长在第一范围内的信号，得到通过所述波长在第一范围内的信号的所述叠层结构的厚度，

其中，在所述叠层结构中形成沟道孔包括：

在所述衬底上方形成第一叠层结构；

在所述第一叠层结构中形成第一沟道孔；

在所述第一沟道孔中形成所述阻挡层；以及

在所述第一叠层结构上形成第二叠层结构；

所述根据未被所述阻挡层阻挡的所述波长在第一范围内的信号，得到通过所述波长在第一范围内的信号的所述叠层结构的厚度包括：

根据未被所述阻挡层阻挡的所述波长在第一范围内的信号，得到所述第二叠层结构的厚度。

5.根据权利要求4所述的3D存储器件的量测方法，其特征在于，所述在所述第一沟道孔中形成所述阻挡层包括：

在所述第一沟道孔中填充牺牲层，

其中，所述牺牲层的至少一部分用于形成阻挡层。

6.根据权利要求4所述的3D存储器件的量测方法，其特征在于，所述量测方法包括：

在所述衬底上堆叠形成第一叠层结构；

打开第一沟道掩膜，在所述第一叠层结构上刻蚀形成第一沟道孔；

在所述第一叠层结构和所述第一沟道孔上堆叠形成第二叠层结构；

打开第二沟道掩膜，关闭所述第一沟道掩膜，在所述第二叠层结构上刻蚀形成第二沟道孔；以及

打开所述第一沟道掩膜，关闭所述第二沟道掩膜，对制得器件进行清洗。

7.根据权利要求4所述的3D存储器件的量测方法，其特征在于，所述在所述衬底上方形成叠层结构包括：

在所述衬底上交替地沉积多个牺牲层和多个层间绝缘层以形成所述叠层结构。

8.根据权利要求5所述的3D存储器件的量测方法，其特征在于，所述在所述衬底上方形成叠层结构包括：

在所述衬底上方形成第一叠层结构；

在所述第一叠层结构上方的所述叠层结构中，在前一层叠层结构的上方形成后一层叠层结构；

所述量测方法还包括：

在形成所述前一层叠层结构后，量测所述前一层叠层结构的厚度；以及

在形成所述后一层叠层结构后，量测所述后一层叠层结构的厚度。

9.根据权利要求4所述的3D存储器件的量测方法，其特征在于，根据相邻所述阻挡层之间的间隔，计算得到所述波长在第一范围内的信号入射的角度。

10.根据权利要求4所述的3D存储器件的量测方法，其特征在于，所述波长在第一范围内的信号的入射位置包括所述沟道孔所在的位置。

11.一种薄膜量测装置，用于如权利要求1-3中任一项所述的3D存储器件的厚度量测，其特征在于，包括：

光学关键尺寸量测设备，用于对所述3D存储器件的待测膜层进行量测，得到量测光谱；以及

处理器，根据所述量测光谱得到所述待测膜层厚度。