[发明专利]高电阻率半导体层中的富陷阱层在审
| 申请号： | 202110149108.7 | 申请日： | 2021-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN113363309A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 安东尼·K·史塔佩尔;夫厚尔·杰恩;J·J·派卡里克;史蒂芬·M·宣克;约翰·J·艾利斯-蒙纳翰 | 申请（专利权）人： | 格芯（美国）集成电路科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L27/06;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电阻率 半导体 中的 陷阱 | ||
1.一种结构，包括：
半导体衬底；
位于该半导体衬底上方的第一半导体层，该第一半导体层包括具有大于或等于1000欧姆-厘米的电阻率的单晶半导体材料；
位于该第一半导体层中的多个浅沟槽隔离区，该多个浅沟槽隔离区经设置以围绕该第一半导体层的第一部分，从而定义第一主动装置区；以及
位于该第一半导体层中的多晶层，该多晶层横向延伸于该第一主动装置区及围绕该第一主动装置区的该多个浅沟槽隔离区下方。
2.如权利要求1所述的结构，其中，该多晶层具有大于或等于1000欧姆-厘米的电阻率。
3.如权利要求1所述的结构，其中，该多晶层的电阻率大于或等于该第一半导体层的电阻率。
4.如权利要求1所述的结构，其中，该第一半导体层的该单晶半导体材料具有第一掺杂物浓度，且该多晶层具有小于或等于该第一掺杂物浓度的第二掺杂物浓度。
5.如权利要求4所述的结构，其中，该第一掺杂物浓度小于或等于1x1015原子-厘米-3。
6.如权利要求1所述的结构，其中，该第一半导体层包括第二部分，且该多晶层相对于该半导体衬底位于该第一半导体层的该第一部分与该第一半导体层的该第二部分之间。
7.如权利要求1所述的结构，还包括：
第二半导体层，位于该第一主动装置区中的该第一半导体层与该多晶层之间，该第二半导体层具有小于或等于50欧姆-厘米的电阻率，
其中，该第一半导体层包括相对于该半导体衬底位于该多晶层与该第二半导体层之间的第二部分。
8.如权利要求1所述的结构，其中，该多晶层包括上边界及下边界，且该多个浅沟槽隔离区包括位于该多晶层的该上边界与该下边界之间的下表面。
9.如权利要求1所述的结构，还包括：
第二半导体层，位于该第一主动装置区中的该第一半导体层与该半导体衬底之间，该第二半导体层由具有小于或等于50欧姆-厘米的电阻率的单晶半导体材料组成。
10.如权利要求1所述的结构，还包括：
位于该第一主动装置区中的第一主动装置。
11.如权利要求10所述的结构，其中，该第一主动装置为开关场效应晶体管。
12.如权利要求10所述的结构，其中，该多个浅沟槽隔离区还经设置以围绕该第一半导体层的第二部分，从而定义第二主动装置区，且还包括：
位于该第二主动装置区中的第二主动装置。
13.如权利要求12所述的结构，其中，该多个浅沟槽隔离区还经设置以围绕该第一半导体层的第三部分，从而定义第三主动装置区，且还包括：
位于该第三主动装置区中的场效应晶体管。
14.如权利要求12所述的结构，其中，该第一主动装置区为开关场效应晶体管，该第二主动装置为异质结双极晶体管，且还包括：
第二半导体层，位于该第一主动装置区中及该第二主动装置区中的该第一半导体层与该半导体衬底之间，
其中，该异质结双极晶体管包括位于该第二半导体层下方的该半导体衬底中的次集电极。
15.如权利要求12所述的结构，其中，在该第二主动装置区下方不存在该多晶层。
16.如权利要求10所述的结构，还包括：
第二半导体层，位于该第一主动装置区中的该第一半导体层与该半导体衬底之间，该第二半导体层具有小于或等于50欧姆-厘米的电阻率。
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