[发明专利]一种A位高熵钙钛矿氧化物MeTiO3 有效
申请号: | 202110149966.1 | 申请日: | 2021-02-02 |
公开(公告)号: | CN112960978B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 高峰;张萍;楼志豪;许杰;石宗墨;秦梦婕 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | C04B35/472 | 分类号: | C04B35/472;C04B35/50;C04B35/468 |
代理公司: | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人: | 慕安荣 |
地址: | 710072 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 位高熵钙钛矿 氧化物 metio base sub | ||
一种A位高熵钙钛矿氧化物热电陶瓷及其制备方法,A位高熵钙钛矿氧化物具有单相钙钛矿结构,内部各元素均匀分布,无团聚现象,且具有热电性能,可用于热电材料领域。该A位高熵钙钛矿氧化物的化学组为:(Ca0.2Sr0.2Ba0.2La0.2Pb0.2)TiO3、(Ca0.25Sr0.25Ba0.25La0.25)TiO3、(Ca0.25Sr0.25Ba0.25Pb0.25)TiO3、(Ca0.25Sr0.25Ba0.25Nd0.25)TiO3或(Ca0.25Sr0.25Ba0.25Sm0.25)TiO3。本发明实现了钙钛矿结构高熵化,提高材料组成中原子排列的混乱度,增加声子散射,降低热导率,进而提高热电性能;烧结中,使氧原子借由材料晶格中的氧空位迁移排出,在减小气孔率、提高陶瓷密度的同时,提高氧空位浓度,提高材料的载流子浓度。采用的氩气加碳粉的还原退火工艺实现了钙钛矿氧化物半导化,提高陶瓷的载流子浓度,提高电导率,进而提高热电性能。
技术领域
本发明涉及高熵氧化物领域,具体涉及一种A位高熵氧化物MeTiO3热电陶瓷及其制备方法。
背景技术
2004年“高熵合金”(HEAs)的概念被提出,Cantor等首次制备了构型熵稳定的单相多组分合金,此后,高熵工程在合金领域得到了广泛的研究。直到2015年,熵稳定氧化物(Mg0.2Zn0.2Co0.2Cu0.2Zn0.2)O被报道后,高熵概念步入陶瓷领域。这不仅证实了熵的驱动力,也为高熵非金属材料的研究开辟了新的思路。高熵体系通常具有四大高熵效应:在热力学上为高熵效应;在动力学上为迟滞扩散效应;在结构上为晶格畸变效应;在性能上为鸡尾酒效应。通过合理的配方设计,可以获得高强度、高硬度、巨介电常数、耐高温氧化及低热导率的高熵材料,因此,高熵陶瓷成为新材料领域的研究热点,研究人员努力合成不同的高熵陶瓷,并探索它们的优异性能。
高熵陶瓷(HECs),也被称为高熵化合物,是一种不少于四种阳离子或阴离子的单相陶瓷。相比于对高熵合金的深入研究,高熵陶瓷属于刚刚起步,与高熵合金相似,高熵陶瓷由单相多组分元素组成,其大的构型熵有助于单相固溶体形成。与高熵合金不同的是,高熵陶瓷通常是具有带隙的半导体或绝缘体,这使得它们有可能成为潜在的功能材料。例如,高熵铜基化合物由于具有较大的塞贝克系数和较低的热导率,可以成为好的热电材料。高熵陶瓷的另一个优势是它们具有充足的结构多样性,高熵陶瓷材料家族的成员正在迅速增加。近年来,研究人员将高熵陶瓷家族成员扩展到二硼化物,硫系化合物,硅化物,金属间化合物如半-赫斯勒化合物等体系,包括立方结构、六方结构、层状结构、岩盐结构、钙钛矿结构等八个结构类型的高熵陶瓷材料被研究,涵盖从结构到功能的应用。但是,目前钙钛矿结构高熵氧化物陶瓷尚属于研究起步阶段。
在公开号为CN 110255610 A的发明创造中公开了一种A位高熵钙钛矿氧化物及其制备方法和应用。该发明创造公开的A位高熵钙钛矿氧化物的通式为[(Bi,Na)1/5(La,Li)1/5(Ce,K)1/5Ca1/5Sr1/5]TiO3。该发明中采用固相反应法得到单相钙钛矿高熵氧化物,具有电池特性,但不具有热电性能。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学,未经西北工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110149966.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。