[发明专利]电容结构及其制备方法

权利要求书

1.一种电容结构的制备方法，其特征在于，包括：

在第一电极上形成介电层，所述介电层包括掺杂有预设氧化物的金属氧化物层，且部分所述预设氧化物与金属氧化物共用氧原子；

在所述介电层上形成第二电极，所述第一电极、介电层和第二电极构成所述电容结构；

在第一电极上形成介电层的步骤包括：

在所述第一电极上形成金属有机物层；

在所述金属有机物层上形成预设有机物层；

对所述金属有机物层和所述预设有机物层进行氧化处理，形成所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层；

所述金属氧化物的质量分数为90%-99%，所述预设氧化物的质量分数为1%-10%，所述预设氧化物为非金属氧化物。

2.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，对所述金属有机物层和所述预设有机物层进行氧化处理，形成所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层的步骤之后，在所述介电层上形成第二电极的步骤之前，所述电容结构的制备方法还包括：

在所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层上形成所述金属有机物层；

对所述金属有机物层进行氧化处理，形成无掺杂的金属氧化物层。

3.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，对所述金属有机物层和所述预设有机物层进行氧化处理，形成所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层的步骤之后，在所述介电层上形成第二电极的步骤之前，所述电容结构的制备方法还包括：

在所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层上形成所述金属有机物层；

在所述金属有机物层上形成所述预设有机物层；

对所述金属有机物层和所述预设有机物层进行氧化处理，形成所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层；

重复在所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层上形成所述金属有机物层、在所述金属有机物层上形成所述预设有机物层、对所述金属有机物层和所述预设有机物层进行氧化处理，直至形成包括n层所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层的介电层，其中，n大于等于2。

4.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，在第一电极上形成介电层的步骤中，利用原子层沉积工艺形成所述金属有机物层和所述预设有机物层。

5.根据权利要求4所述的电容结构的制备方法，其特征在于，在第一电极上形成介电层的步骤中：

对所述金属有机物层进行清洁处理；和/或，对所述预设有机物层进行清洁处理。

6.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，对所述金属有机物层和所述预设有机物层进行氧化处理的步骤中，利用臭氧对所述金属有机物层和所述预设有机物层进行氧化处理。

7.根据权利要求6所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述氧化处理的时间小于或者等于10min。

8.根据权利要求1所述的电容结构的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物包括氧化铪、氧化锆或者钙钛矿，所述预设氧化物包括氧化硅。

9.一种电容结构，其特征在于，所述电容结构通过权利要求1所述的制备方法形成，所述电容结构包括相对设置的两个电极，以及位于两个所述电极之间且与两个所述电极相接触的介电层，所述介电层包括掺杂有预设氧化物的金属氧化物层，且部分所述预设氧化物与金属氧化物共用氧原子；所述预设氧化物为非金属氧化物，所述金属氧化物的质量分数为90%-99%，所述非金属氧化物的质量分数为1%-10%。

10.根据权利要求9所述的电容结构，其特征在于，所述介电层包括堆叠设置的至少两个所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层。

11.根据权利要求9所述的电容结构，其特征在于，所述介电层还包括无掺杂的金属氧化物层，且所述无掺杂的金属氧化物层与所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层堆叠设置。