[发明专利]电容结构及其制备方法

说明书

本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种电容结构及其制备方法，用于解决电容结构性能较差的技术问题。该电容结构的制备方法包括：在第一电极上形成介电层，介电层包括掺杂有预设氧化物的金属氧化物层，且部分预设氧化物与金属氧化物共用氧原子；在介电层上形成第二电极，第一电极、介电层和第二电极形成电容结构。通过形成部分预设氧化物与部分金属氧化物共用氧原子的金属氧化物层，可以减少氧的含量，从而减小预设氧化物导致电容结构的介电常数降低的影响，以提高电容结构的性能。此外，使得预设氧化物可以较好地掺杂在金属氧化物层中，进一步提高电容结构的性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体技术领域，尤其涉及一种电容结构及其制备方法。

背景技术

随着科技的不断发展，半导体结构的应用越来越广，在计算机、通信等领域，都需要使用具有不同功能的半导体结构。电容结构作为一种存储电荷的元件，被广泛应用于半导体结构中。

电容结构一般包括相对设置的两个电极，以及位于两个电极之间的介电层。介电层的材质通常为氧化物，例如，氧化锆、氧化铪或者钙钛矿。随着半导体结构不断微缩，对电容结构的电荷容量要求也越来越高，上述材质难以满足电荷容量的需要，通常需要掺杂其他元素。相关技术中，制备有掺杂的介电层时，形成金属有机物层，其次对金属有机物层进行氧化处理，形成金属氧化物层，再金属氧化物上形成掺杂有机物层，之后对掺杂有机物层进行氧化处理，形成掺杂氧化物层，上述金属氧化物层和掺杂氧化物层构成有掺杂的介电层。

然而，上述有掺杂的介电层中掺杂氧化物的浓度较高，掺杂效果较差，进而影响电容结构的性能。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种电容结构及其制备方法，以解决电容结构性能较差的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种电容结构的制备方法，包括：在第一电极上形成介电层，所述介电层包括掺杂有预设氧化物的金属氧化物层，且部分所述预设氧化物与金属氧化物共用氧原子；在所述介电层上形成第二电极，所述第一电极、介电层和第二电极构成所述电容结构。

本发明实施例提供的电容结构的制备方法具有如下优点：

本发明实施例提供的电容结构的制备方法中，在第一电极上形成介电层，介电层包括掺杂有预设氧化物的金属氧化物层，且部分预设氧化物与金属氧化物共用氧原子。通过部分预设氧化物和金属氧化物共用氧原子，可以减小氧的含量，从而减小预设氧化物导致介电层的介电常数降低的影响；再在介电层上形成第二电极，以形成电容结构，所获得的电容结构具有较好的性能。此外，由于部分预设氧化物和金属氧化物共用氧原子，金属氧化物层中预设氧化物的掺杂效果好，进一步提高电容结构的性能。

如上所述的电容结构的制备方法中，在第一电极上形成介电层的步骤包括：在所述第一电极上形成金属有机物层；在所述金属有机物层上形成预设有机物层；对所述金属有机物层和所述预设有机物层进行氧化处理，形成所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层。

如上所述的电容结构的制备方法中，对所述金属有机物层和所述预设有机物层进行氧化处理，形成所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层的步骤之后，在所述介电层上形成第二电极的步骤之前，所述电容结构的制备方法还包括：在所述掺杂有预设氧化物的金属氧化物层上形成所述金属有机物层；对所述金属有机物层进行氧化处理，形成无掺杂的金属氧化物层。