[发明专利]一种硅片表面基化处理方法

权利要求书

1.一种硅片表面基化处理方法，其特征在于：包括以下方式：

(1)、表面羟基化包括以下步骤：

A1、选取预先切割好硅片，并放置在基化容器当中，且硅片正面朝上；

A2、将去离子水倒入基化容器当中进行硅片清洗3次以上，再将该清洗液排净；

A3、在基化容器当中依次加入过氧化氢和高锰酸进行混匀,且反应30分钟以上，以此使得硅片表面羟基化；

A4、将去离子水倒入该基化容器当中进行硅片的再次清洗，再将该清洗液排净，清洗完成后加入没过该硅片的保存液进行存储；

(2)、表面氨基化包括以下步骤：

B1、取出基化容器，采用无水乙醇进行清洗，洗后进行排净，再倒入新的无水乙醇；

B2、取出表面羟基化完成的硅片置入到基化容器当中，使用无水乙醇进行清洗，洗后进行排净；

B3、加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷和无水乙醇的混合液(或者先加无水乙醇，后加3-氨基丙基三乙氧基硅烷)，3-氨基丙基三乙氧基硅烷和无水乙醇的体积比为1：15，且反应2h以上，以此使得硅片表面氨基化；

(3)、表面羧基化包括以下步骤：

C1、取出基化容器，取出表面氨基化完成的硅片置入到基化容器当中；

C2，加入无水乙醇进行清洗，洗后进行排净；

C3、在基化容器中加入含羧基乙基硅烷三醇钠盐的无水乙醇饱和溶液，且反应3h以上，以此使得硅片表面羧基化，再倒净反应液；

C4、加入无水乙醇进行清洗，洗后进行排净，再倒入新的无水乙醇保存；

(4)、表面甲基化包括以下步骤：

D1、取出基化容器，采用乙烯进行清洗，洗后进行排净，再倒入新的乙烯；

D2、取出表面羟基化完成的硅片置入到基化容器当中，使用乙烯进行清洗，洗后进行排净；

D3、将乙烯和甲基硅烷在专用的烧杯中混合均匀，并反应5分钟，以此使得硅片表面甲基化；

D4、先后采用用无水乙醇清洗和乙烯清洗且循环反复3次以上，再将硅片放在盛有大量无水乙醇溶液的容器中，并进行密封保存；

(5)、表面醛基化包括以下步骤：

E1、取出在表面氨基化完成硅片，并放置到基化容器，硅片正面面朝上；

E2、用去离子水清洗3次以上，以除去无水乙醇，以避免混乱反应；

E3、然后用PBS溶液清洗2次以上，以形成PBS环境，洗后进行排净；

E4、加入乙醛和PBS的混合溶液，并反应1h以上，以此使得硅片表面醛基化；

E5、倒掉反应液体，用PBS清洗3次，然后将醛基化的硅片保存于PBS溶液中。

2.根据权利要求1所述的一种硅片表面基化处理方法，其特征在于：所述过氧化氢和高锰酸的体积比为1：3。

3.根据权利要求1所述的一种硅片表面基化处理方法，其特征在于：所述乙烯和甲基硅烷的体积比为20：3。

4.根据权利要求1所述的一种硅片表面基化处理方法，其特征在于：所述乙醛和PBS的体积比为1：10。

5.根据权利要求1所述的一种硅片表面基化处理方法，其特征在于：所述硅片表面基化处理的环境通风透气，提高安全性。