[发明专利]一种硅片表面基化处理方法

说明书

本发明公开了一种硅片表面基化处理方法，其包括处理以下方式，表面羟基化、表面氨基化、表面羧基化、表面甲基化和表面醛基化，本发明具有以下有益效果，合理选取进行反应处理的溶液，以减少反应的步骤，达到了简便处理流程的有益效果；对处理的溶液采用合适的用量，以减少材料的浪费的有益效果，且流程处理的过程，合理采用处理前后的清理，以达到避免干扰因素好的有益效果。

技术领域

本发明属于硅片加工技术领域，特别涉及一种硅片表面基化处理方法。

背景技术

微电子技术，正在悄悄走进航空、航天、工业、农业和国防，也正在悄悄进入每一个家庭，小小硅片的巨大“魔力”是我们的前人根本无法想象的；

而表面的羟、氨、羧、甲和醛基化，是指羟基、氨基、羧基、甲基和醛基结合在硅片表面上，是硅片表面较为基本的几种处理方式，而硅片表面被基化后，可为其后续的功能化提供了不同的技术基础，以实现改善和提高硅片使用的功能性，但是现有技术新型的该硅片表面基化的方法操作流程的处理流程大且用材浪费，以及进行处理时的干扰因素大而处理效果不佳的问题。

发明内容

(一)要解决的技术问题

为了克服现有技术不足，现提出一种硅片表面基化处理方法，以解决上述背景技术的问题，以简便处理流程、省材且避免干扰因素好的有益效果。

(二)技术方案

本发明通过如下技术方案实现：本发明提出了一种硅片表面基化处理方法，包括以下方式：

(1)、表面羟基化包括以下步骤：

A1、选取预先切割好硅片，并放置在基化容器当中，且硅片正面朝上；

A2、将去离子水倒入基化容器当中进行硅片清洗3次以上，再将该清洗液排净；

A3、在基化容器当中依次加入过氧化氢和高锰酸进行混匀,且反应30分钟以上，以此使得硅片表面羟基化；

A4、将去离子水倒入该基化容器当中进行硅片的再次清洗，再将该清洗液排净，清洗完成后加入没过该硅片的保存液进行存储；

(2)、表面氨基化包括以下步骤：

B1、取出基化容器，采用无水乙醇进行清洗，洗后进行排净，再倒入新的无水乙醇；

B2、取出表面羟基化完成的硅片置入到基化容器当中，使用无水乙醇进行清洗，洗后进行排净；

B3、加入3-氨基丙基三乙氧基硅烷和无水乙醇的混合液(或者先加无水乙醇，后加3-氨基丙基三乙氧基硅烷)，3-氨基丙基三乙氧基硅烷和无水乙醇的体积比为1：15，且反应2h以上，以此使得硅片表面氨基化；

(3)、表面羧基化包括以下步骤：

C1、取出基化容器，取出表面氨基化完成的硅片置入到基化容器当中；

C2，加入无水乙醇进行清洗，洗后进行排净；

C3、在基化容器中加入含羧基乙基硅烷三醇钠盐的无水乙醇饱和溶液，且反应3h以上，以此使得硅片表面羧基化，再倒净反应液；

C4、加入无水乙醇进行清洗，洗后进行排净，再倒入新的无水乙醇保存；

(4)、表面甲基化包括以下步骤：

D1、取出基化容器，采用乙烯进行清洗，洗后进行排净，再倒入新的乙烯；

D2、取出表面羟基化完成的硅片置入到基化容器当中，使用乙烯进行清洗，洗后进行排净；

D3、将乙烯和甲基硅烷在专用的烧杯中混合均匀，并反应5分钟，以此使得硅片表面甲基化；