[发明专利]半导体器件的制作方法有效
| 申请号： | 202110150960.6 | 申请日： | 2021-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN112466803B | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 蔡双 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路制造（绍兴）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L23/544 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郭凤杰 |
| 地址： | 312000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作方法 | ||
1.一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：
提供第一基片以及第二基片，所述第一基片具有第一键合面，且在所述第一键合面形成有第一图案结构以及对位标记，所述第二基片具有第二键合面以及与所述第二键合面相背离的图案制作表面；
在所述第一键合面或所述第二键合面上形成保护层，所述保护层在所述第一键合面的正投影至少覆盖所述对位标记；
将所述第一基片的第一键合面与所述第二基片的第二键合面进行键合；
于所述第二基片内形成暴露所述保护层的通孔，所述通孔在所述第一键合面上的正投影包围所述对位标记；
去除所述保护层；
通过所述对位标记进行对位，在所述第二基片的图案制作表面形成与所述第一图案结构相对应的第二图案结构；
所述在所述第一键合面或所述第二键合面上形成保护层，包括：
在所述第二基片的第二键合面形成与所述对位标记相对应的凹槽，所述凹槽用于放置所述保护层，且所述凹槽的槽深大于所述保护层的厚度；
形成所述保护层。
2.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述形成保护层，包括：
在所述凹槽内形成有所述保护层。
3.根据权利要求2所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述形成保护层，包括：
在所述对位标记表面形成有所述保护层。
4.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述通过所述对位标记进行对位，在所述第二基片的图案制作表面形成与所述第一图案结构相对应的第二图案结构，包括：
至少在所述第二基片的图案制作表面形成光刻胶层；
通过所述对位标记进行对位，对所述光刻胶层进行曝光显影，在所述通孔所在的区域外形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层定义出所述第二图案结构的位置及形状；
基于所述图形化光刻胶层对所述第二基片进行刻蚀，以在所述第二基片的图案制作表面形成第二图案结构。
5.根据权利要求4所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述光刻胶层还形成在所述通孔所在的区域内；所述通过所述对位标记进行对位，对所述光刻胶层进行曝光显影，在所述通孔所在的区域外形成图形化光刻胶层之前，还包括：
去除所述通孔所在的区域内的所述光刻胶层。
6.根据权利要求5所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述去除所述通孔所在的区域内的所述光刻胶层，包括：
对所述光刻胶层进行曝光显影，以去除所述通孔所在的区域内的所述光刻胶层。
7.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一图案结构以及所述第二图案结构均为梳齿结构。
8.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述第一基片为SOI 基片，所述第二基片为硅片。
9.根据权利要求1所述的半导体器件制造方法，其特征在于，所述保护层为氧化层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
