[发明专利]半导体器件的制作方法

说明书

本申请涉及一种半导体器件的制作方法，包括：提供第一基片以及第二基片，第一基片具有第一键合面，且在第一键合面形成有第一图案结构以及对位标记，第二基片具有第二键合面以及与第二键合面相背离的图案制作表面；在第一键合面或第二键合面上形成保护层，保护层在第一键合面的正投影至少覆盖对位标记；将第一基片的第一键合面与第二基片的第二键合面进行键合；于第二基片内形成暴露保护层的通孔，通孔在第一键合面上的正投影包围对位标记；去除保护层；通过对位标记进行对位，在第二基片的图案制作表面形成与第一图案结构相对应的第二图案结构。本申请可以有效提高对位标记的对准精度，从而有效保证工艺稳定性。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体器件的制作方法。

背景技术

目前，很多半导体器件是由两片上下基片键合而成。为了实现两片基片中的图案结构的定位，通常需要在形成有第一图案结构的其中一片基片（记作底层）上，同时形成有对位标记。然后通过对位标记进行对位，使得另一片基片（记作顶层基片）上在相应位置处形成与第一图案结构相对应的第二图案结构。

传统技术通过打孔工艺在顶层基片中进行打孔，从而将底层基片表面对位标记打开而用于工艺对准。

然而，在顶层基片中进行打孔时，可能会损坏对位标记，从而导致对位不准，进而影响器件性能。

发明内容

基于此，有必要针对现有技术中的对位不准问题提供一种半导体器件的制作方法。

一种半导体器件制造方法，其特征在于，包括：

提供第一基片以及第二基片，所述第一基片具有第一键合面，且在所述第一键合面形成有第一图案结构以及对位标记，所述第二基片具有第二键合面以及与所述第二键合面相背离的图案制作表面；

在所述第一键合面或所述第二键合面上形成保护层，所述保护层在所述第一键合面的正投影至少覆盖所述对位标记；

将所述第一基片的第一键合面与所述第二基片的第二键合面进行键合；

于所述第二基片内形成暴露所述保护层的通孔，所述通孔在所述第一键合面上的正投影包围所述对位标记；

去除所述保护层；

通过所述对位标记进行对位，在所述第二基片的图案制作表面形成与所述第一图案结构相对应的第二图案结构。

在其中一个实施例中，

所述在所述第一键合面或所述第二键合面上形成保护层，包括：

在所述第二基片的第二键合面形成与所述对位标记相对应的凹槽，所述凹槽用于放置所述保护层，且所述凹槽的槽深大于所述保护层的厚度；

形成所述保护层。

在其中一个实施例中，所述形成保护层，包括：

在所述凹槽内形成有所述保护层。

在其中一个实施例中，所述形成保护层，包括：

在所述对位标记表面形成有所述保护层。

在其中一个实施例中，所述通过所述对位标记进行对位，在所述第二基片的图案制作表面形成与所述第一图案结构相对应的第二图案结构，包括：

至少在所述第二基片的图案制作表面形成光刻胶层；

通过所述对位标记进行对位，对所述光刻胶层进行曝光显影，在所述通孔所在的区域外形成图形化光刻胶层，所述图形化光刻胶层定义出所述第二图案结构的位置及形状；

基于所述图形化光刻胶层对所述第二基片进行刻蚀，以在所述第二基片的图案制作表面形成第二图案结构。