[发明专利]一种抗电痕腐蚀ADSS光缆

权利要求书

1.一种抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，包括：中间加强件、紧套光纤、阻水层、内护套、非金属加强件和外护套；其中，若干个紧套光纤设置在外护套内侧并与中间加强件绞合，紧套光纤和外护套之间依次设置阻水层、内护套、非金属加强件；所述外护套的原料按重量份包括：80-100份聚乙烯树脂、30-40份环氧树脂、10-20份二茂铁接枝的氧化石墨烯、10-15份硅酸烷基酯、10-20份填料、1-5助剂。

2.根据权利要求 1所述的抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，二茂铁接枝的氧化石墨烯的制备工艺包括：将二茂铁甲酸、二氯甲烷、无水吡啶、草酰氯混合均匀，升温至回流温度，反应5-6h，得到二茂铁甲酰氯；将二茂铁甲酰氯、氧化石墨烯分散在二氯甲烷中，滴加三乙胺，升温至50-60℃反应18-20h得到二茂铁接枝的氧化石墨烯；

优选地，二茂铁甲酸、二氯甲烷、无水吡啶、草酰氯的重量体积比g：ml：ml：ml为1-2：10-20：0.1-0.2：1-1.5。

3.根据权利要求2所述的抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，二茂铁接枝的氧化石墨烯的制备过程中，二茂铁甲酰氯、氧化石墨烯的重量比为10：2-4；

优选地，二茂铁甲酰氯、二氯甲烷、三乙胺的质量体积比g：ml：ml为1-1.2：10：0.1-0.2；

优选地，氧化石墨烯为胺化氧化石墨烯和/或烷基化氧化石墨烯。

4.根据权利要求3所述的抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，胺化氧化石墨烯的制备工艺为：将氧化石墨烯分散在去离子水中，调节pH至8-9，加入乙二胺，升温至60℃，在微波条件下反应8-10h。

5.根据权利要求4所述的抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，微波功率为800-1500W；优选地，氧化石墨烯和乙二胺的重量比为10：0.5-2。

6.根据权利要求3所述的抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，烷基化氧化石墨烯的制备工艺为：将氧化石墨烯中分散于N,N-二甲基甲酰胺中，加入烷基偶联剂，升温至80-90℃微波条件下反应4-6h，得到烷基化氧化石墨烯。

7.根据权利要求6所述的抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，微波功率为800-1500W；

优选地，氧化石墨烯和烷基偶联剂的重量比为10：1-3；优选地，烷基偶联剂为氨基硅烷偶联剂；优选地，烷基偶联剂为KH-550。

8.根据权利要求1-7中任一项所述的抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，硅酸烷基酯为原硅酸四甲酯、原硅酸四乙酯、原硅酸四丁酯中的一种或两种以上混合物。

9.根据权利要求8所述的抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，硅酸烷基酯为原硅酸四乙酯。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的抗电痕腐蚀ADSS光缆，其特征在于，填料为炭黑、白炭黑、纳米碳酸钙中的一种或两种以上混合物。