[发明专利]包括层叠的半导体芯片的半导体封装

权利要求书

1.一种半导体封装，该半导体封装包括：

基层；

第一半导体芯片，该第一半导体芯片设置在所述基层上方并且与所述基层间隔开；

第二半导体芯片层叠物，该第二半导体芯片层叠物设置在所述基层与所述第一半导体芯片之间，该第二半导体芯片层叠物包括在垂直方向上层叠的多个第二半导体芯片；

桥管芯层叠物，该桥管芯层叠物设置在所述基层与所述第一半导体芯片之间并且被设置为与所述第二半导体芯片层叠物间隔开，该桥管芯层叠物包括在所述垂直方向上层叠的多个桥管芯并且该桥管芯层叠物将所述第一半导体芯片和所述基层电连接以供电；以及

垂直互连器，该垂直互连器设置在所述基层与所述第一半导体芯片之间并且被设置为与所述第二半导体芯片层叠物和所述桥管芯层叠物间隔开，该垂直互连器将所述第一半导体芯片和所述基层电连接以传输信号。

2.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述多个桥管芯中的每一个包括：

绝缘主体；

穿透所述绝缘主体的导电柱；以及

连接到所述导电柱的一端的第一连接电极，

其中，所述导电柱的宽度大于所述垂直互连器的宽度。

3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述导电柱的间距大于所述垂直互连器的间距。

4.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述绝缘主体包括模制材料。

5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述垂直互连器包括垂直接合引线。

6.根据权利要求2所述的半导体封装，其中，所述多个第二半导体芯片中的每一个包括：

包括半导体材料和电路结构在内的主体部分；

穿透所述主体部分的通孔；以及

连接到所述通孔的一端的第二连接电极，

其中，所述导电柱的宽度大于所述通孔的宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体封装，其中，所述导电柱的间距大于所述通孔的间距。

8.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第二半导体芯片层叠物的厚度、所述桥管芯层叠物的厚度和所述垂直互连器的长度相同。

9.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述第一半导体芯片具有覆盖所述桥管芯层叠物、所述第二半导体芯片层叠物和所述垂直互连器的平面面积。

10.根据权利要求2所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

模制层，该模制层对所述基层与所述第一半导体芯片之间的所述桥管芯层叠物、所述第二半导体芯片层叠物和所述垂直互连器进行模制，

其中，所述绝缘主体包括与所述模制层相同的材料。

11.根据权利要求1所述的半导体封装，该半导体封装还包括：

形成在所述第一半导体芯片的至少一部分上方的散热构件。

12.根据权利要求1所述的半导体封装，其中，所述多个桥管芯当中的最靠近所述基层的桥管芯的厚度小于剩余桥管芯中的每一个的厚度。