[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：

多个存储器块，所述多个存储器块包括第一保证块至第m保证块，其中，m为大于1的整数；

修复逻辑，所述修复逻辑被设置为通过检测所述第一保证块至所述第m保证块当中的缺陷存储器块来生成坏块信息，并且基于所述坏块信息确定分别与所述第一保证块至所述第m保证块相对应的第一偏移值至第m偏移值；以及

地址解码器，所述地址解码器被设置为当块地址与所述第一保证块至所述第m保证块中的任何一个相对应时通过将从所述第一偏移值至所述第m偏移值中选择的偏移值反映到所述块地址上来生成块选择地址，并且当所述块地址与除所述第一保证块至所述第m保证块之外的任何一个所述存储器块相对应时通过将所述第m偏移值反映到所述块地址上来生成所述块选择地址。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述多个存储器块包括：

多个正常存储器块，所述多个正常存储器块包括所述第一保证块至所述第m保证块；以及

多个扩展存储器块，所述多个扩展存储器块能够根据所述第一偏移值至所述第m偏移值而扩展到所述正常存储器块。

3.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，外部装置使用所述块地址访问所述正常存储器块和所述扩展存储器块。

4.根据权利要求2所述的半导体存储器装置，其中，所述第一保证块至所述第m保证块中的至少一个包括内容可寻址存储器CAM块，并且

所述CAM块存储所述坏块信息。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器装置，其中，所述修复逻辑包括：

坏块扫描电路，所述坏块扫描电路被设置为在上电操作期间从所述CAM块中扫描所述坏块信息；

偏移计算电路，所述偏移计算电路被设置为基于所述坏块信息确定所述第一保证块至所述第m保证块中的任何一个是否有缺陷，以设置所述第一偏移值至所述第m偏移值；以及

修复映射表，所述修复映射表被设置为将所述第一偏移值至所述第m偏移值存储为针对所述修复映射表的索引的字段。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，根据所述第一保证块至所述第m保证块的数量确定所述修复映射表的每个字段的位宽。

7.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，所述偏移计算电路通过对所述第一保证块至所述第m保证块当中的缺陷存储器块的数量进行累积计数来计算所述第一偏移值至所述第m偏移值。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述地址解码器包括：

块解码器，所述块解码器被设置为对所述块地址进行解码，以当所述块地址与所述第一保证块至所述第m保证块中的任何一个相对应时生成第一初始地址，并且当所述块地址与除所述第一保证块至所述第m保证块之外的任何一个所述存储器块相对应时生成第二初始地址；

第一偏移反映器，所述第一偏移反映器被设置为接收所述第一初始地址，并且通过将所述从所述第一偏移值至所述第m偏移值中选择的偏移值与所述第一初始地址相加来生成所述块选择地址；以及

第二偏移反映器，所述第二偏移反映器被设置为接收所述第二初始地址，并且通过将所述第m偏移值与所述第二初始地址相加来生成所述块选择地址。