[发明专利]半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法

说明书

提供一种半导体存储器装置和半导体存储器装置的操作方法。根据一个实施方式，一种半导体存储器装置包括：多个存储器块，其包括第一保证块至第m保证块，其中，m为大于1的整数；修复逻辑，其被设置为通过检测第一保证块至第m保证块当中的缺陷存储器块来生成坏块信息并基于坏块信息确定分别与第一保证块至第m保证块相对应的第一偏移值至第m偏移值；以及地址解码器，其被设置为当块地址与第一保证块至第m保证块中的任何一个相对应时通过将从第一偏移值至第m偏移值中选择的偏移值反映到块地址上来生成块选择地址，并且当块地址与除第一保证块至第m保证块之外的任何一个存储器块相对应时通过将第m偏移值反映到块地址上来生成块选择地址。

技术领域

本公开涉及一种半导体设计技术，并且更具体地，涉及半导体存储器装置的块映射方法。

背景技术

随着使用半导体存储器装置作为存储介质的移动信息装置(特别是智能电话和平板电脑)的使用的激增，这些半导体存储器装置越来越受到关注和重视。范围广泛的应用以及高速处理器或多核并行性的出现要求半导体存储器装置提高性能和可靠性。

半导体存储装置是使用由例如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)制成的半导体实现的存储装置。半导体存储器装置可以分类为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。易失性存储器装置在电源关闭时无法保留存储的数据。易失性存储器装置包括静态随机存取存储器(SRAM)装置、动态RAM(DRAM)装置或同步DRAM(SDRAM)装置等。非易失性存储器装置即使在电源关闭时也可以保留所存储的数据。非易失性存储器装置可以包括只读存储器(ROM)装置、可编程ROM(PROM)装置、电可编程ROM(EPROM)装置、电可擦除可编程ROM(EEPROM)装置、闪存存储器装置、相变RAM(PRAM)装置、磁性RAM(MRAM)装置、电阻性RAM(RRAM)装置或铁电RAM(FRAM)装置等。闪存存储器装置可以被分类为NOR类型或NAND类型。

非易失性存储器装置可以包括多个存储器块。由于制造工艺中的错误(error)，可能会在多个存储器块当中产生缺陷存储器块(defective memory block)。具有预定数量或更少的缺陷存储器块的非易失性存储器装置可以被视为正常装置。

然而，根据客户的需求，存在可以存储安全数据(security data)并且必须不具有缺陷的特定存储器块(以下称为保证块(guarantee block))。在保证块中具有缺陷的非易失性存储器装置可以被视为故障装置，而与缺陷存储器块的总数无关。这可能导致非易失性存储器装置的产量(production yield)降低。

发明内容

根据一个实施方式，一种半导体存储器装置可以包括：多个存储器块，所述多个存储器块包括第一保证块至第m保证块，其中，“m”为大于1的整数；修复逻辑，修复逻辑适用于通过检测第一保证块至第m保证块当中的缺陷存储器块来生成坏块信息，并基于坏块信息确定分别与第一保证块至第m保证块相对应的第一偏移值至第m偏移值；以及地址解码器，地址解码器适用于当块地址与第一保证块至第m保证块中的任何一个相对应时通过将从第一偏移值至第m偏移值中选择的偏移值反映到块地址上来生成块选择地址，并且当块地址与除第一保证块至第m保证块之外的任何一个存储器块相对应时通过将第m偏移值反映到块地址上来生成块选择地址。

根据一个实施方式，一种存储器系统可以包括：存储器装置，存储器装置包括多个存储器块，多个存储器块包括第一保证块至第m保证块，其中，“m”是大于1的整数；以及控制器，控制器适用于向存储器装置提供包括块地址的地址、命令和数据，其中，存储器装置通过检测第一保证块至第m保证块动中的缺陷存储器块来生成坏块信息，并基于坏块信息确定分别与第一保证块至第m保证块相对应的第一偏移值至第m偏移值，并且当块地址与第一保证块至第m保证块中的任何一个相对应时通过将从第一偏移值至第m偏移值中选择的偏移值反映到块地址上来生成块选择地址，并且当块地址与除第一保证块至第m保证块之外的任何一个存储器块相对应时通过将第m偏移值反映到块地址上来生成块选择地址。