[发明专利]一种晶圆研磨胶膜撕胶用加热型压板在审
申请号: | 202110154429.6 | 申请日: | 2021-02-04 |
公开(公告)号: | CN112885748A | 公开(公告)日: | 2021-06-01 |
发明(设计)人: | 刘青云 | 申请(专利权)人: | 广州兴金五金有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510665 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 研磨 胶膜 撕胶用 加热 压板 | ||
本发明公开了一种晶圆研磨胶膜撕胶用加热型压板,其结构包括主体、支撑脚、控制面板,主体的底端设有支撑脚,控制面板位于主体的顶端,主体包括空槽、加热装置、下压装置,加热装置包括支撑板、活动槽、复位弹簧、导热板、电源线,导热板包括导热体、传热片、导热片、缓冲块,传热片包括传热体、嵌固座、空槽、伸缩片,本发明利用下压装置将晶圆片进行下压,使得晶圆片能够贴合于加热装置的端面进行加热,从而让加热过后的研磨胶膜能够轻易的从晶圆片的端面撕下,且不会让晶圆片的端面出现胶痕的情况。
技术领域
本发明涉及晶圆涂抹领域,具体的是一种晶圆研磨胶膜撕胶用加热型压板。
背景技术
晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅,晶圆在加工过程中,需要对晶圆进行涂膜、曝光、显影、蚀刻、离子植入、金属溅镀和切割等若干工序,通常会在晶圆表面镀上一层研磨胶膜,对加工时的晶圆进行保护。
基于上述本发明人发现,现有的一种晶圆研磨胶膜撕胶用加热型压板主要存在以下几点不足,比如:由于研磨胶膜贴合在晶圆的端面,且研磨胶膜中具有一定的粘黏胶,由于粘黏胶的粘黏性,在对研磨胶膜进行撕扯的时候,研磨胶膜容易在晶圆的端面残留胶痕,导致晶圆的端面易沾附粉尘的情况。
发明内容
针对上述问题,本发明提供一种晶圆研磨胶膜撕胶用加热型压板。
为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种晶圆研磨胶膜撕胶用加热型压板,其结构包括主体、支撑脚、控制面板,所述主体的底端设有支撑脚,所述控制面板位于主体的顶端,所述主体包括空槽、加热装置、下压装置,所述空槽设置在主体的内部顶端,所述加热装置安装在空槽的底部正中间,所述下压装置安装在空槽的侧端,且与空槽活动卡合。
进一步的,所述加热装置包括支撑板、活动槽、复位弹簧、导热板、电源线,所述支撑板的上端设有活动槽,所述复位弹簧设有四个,且横向排列于活动槽的上端,所述导热板卡合于活动槽中,所述电源线连接于导热板的底部,所述复位弹簧与导热板活动配合。
进一步的,所述导热板包括导热体、传热片、导热片、缓冲块,所述导热体的上端嵌固有传热片,所述导热片设有三个以上,且横向排列于传热片的下端,所述缓冲块设有三个以上,且安装在两两导热片之间,所述导热片将导热体与传热片之间相连接。
进一步的,所述传热片包括传热体、嵌固座、空槽、伸缩片,所述传热体的的底端嵌固有嵌固座,所述嵌固座嵌固于导热体的端面,所述空槽设有五个以上,且横向排列于传热体的上端面,所述伸缩片安装在空槽的内部,所述伸缩片与空槽的内部活动卡合。
进一步的,所述下压装置包括顶盖、卡合孔、把手、切槽、下压块,所述顶盖的前端设有卡合孔,所述卡合孔与主体相卡合,所述把手嵌固在顶盖的顶端,所述切槽位于顶盖的底端,所述下压块嵌固在切槽的正中间,所述下压块为橡胶材质,且与加热装置的位置相对应。
进一步的,所述下压块包括固定座、变形槽、下压槽、接触片,所述固定座嵌固在下压块的顶端,所述变形槽设有三个以上,且横向排列于下压块的内部,所述下压槽位于下压块的底端,所述接触片贴合于下压槽的底部端面,所述下压槽的侧端为弯曲状。
进一步的,所述变形槽包括槽体、缓冲槽、凹槽,所述槽体的两端设有缓冲槽,所述缓冲槽为三角形状,所述凹槽设有六个,且以三个为一组横向排列于槽体的上下两端。
有益效果
与现有技术相比,本发明具有如下有益效果:
1.本发明利用下压装置将晶圆片进行下压,使得晶圆片能够贴合于加热装置的端面进行加热,从而让加热过后的研磨胶膜能够轻易的从晶圆片的端面撕下,且不会让晶圆片的端面出现胶痕的情况。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造