[发明专利]一种近红外光谱仪快速温控方法在审
| 申请号： | 202110158057.4 | 申请日： | 2021-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN112858216A | 公开（公告）日： | 2021-05-28 |
| 发明（设计）人： | 仇士磊;董海平;沈玉柱;付衍宁 | 申请（专利权）人： | 济南弗莱德科学仪器有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/359 | 分类号： | G01N21/359;G01N21/01;G05D23/19 |
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| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 红外 光谱仪 快速 温控 方法 | ||
1.一种近红外光谱仪快速温控方法，包括近红外光谱仪，其特征在于：所述近红外光谱仪内设置有升温模块、温控模块、定时模块，所述升温模块采用高温纳米陶瓷技术，所述温控模块包括数字温控芯片，所述定时模块包括脉冲定时器。
2.根据权利要求1所述的一种近红外光谱仪快速温控方法，其特征在于：所述高温纳米陶瓷技术即在电热元件喷涂0.05-0.1mm高温纳米陶瓷涂层，升温后与元件形成一体，对元件起到热保护（如氧化、腐蚀），降低导热热阻；工作时吸收不同波长热量，再以近红外线至远红外线波长区域内热量辐射出去，提高发热元件的表面发射率相当于提高点热效率，温度在60-1500摄氏度范围内，高温纳米陶瓷涂层稳定发射率为0.95，而普通发热元件表面发射率介于0.5-0.8之间。
3.根据权利要求1所述的一种近红外光谱仪快速温控方法，其特征在于：所述数字温控芯片确保装置达到工作温度后，进行恒温任务，使近红外光谱仪的InGaAs检测器在安全温度范围。
4.根据权利要求1所述的一种近红外光谱仪快速温控方法，其特征在于：所述脉冲定时器是当输入条件00000为ON后，定时器即时动作，但经过定时器所设定的时间后，即使输入条件00000仍为ON，定时器却变为OFF状态；即这种定时器ON状态的维持时间是由设定值决定的；如果00000为ON的时续时间小于定时器的设定值，定时器的ON状态维持时间为输入条件00000为ON的持续时间。
5.根据权利要求1所述的一种近红外光谱仪快速温控方法，其特征在于：所述升温模块采用单独电源，不影响近红外光谱仪的系统工作。
6.根据权利要求1所述的一种近红外光谱仪快速温控方法，其特征在于：所述数字温控芯片型号为STM32F103ZGH6。
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