[发明专利]一种近红外光谱仪快速温控方法

说明书

本发明提供一种近红外光谱仪快速温控方法，涉及近红外光谱仪领域。该近红外光谱仪快速温控方法，包括近红外光谱仪，所述近红外光谱仪内设置有升温模块、温控模块、定时模块，所述升温模块采用高温纳米陶瓷技术，所述温控模块包括数字温控芯片，所述定时模块包括脉冲定时器；所述高温纳米陶瓷技术即在电热元件喷涂0.05‑0.1mm高温纳米陶瓷涂层，升温后与元件形成一体，对元件起到热保护（如氧化、腐蚀），降低导热热阻；工作时吸收不同波长热量。本发明其设置有升温模块采用纳米陶瓷技术，快速升温,10秒升温至50摄氏度,使lnGaAs检测器快速进入适宜温度；同时采用数字温控芯片,保持恒温50摄氏度,使InGaAs检测器在安全温度范围。

技术领域

本发明涉及近红外光谱仪技术领域，具体为一种近红外光谱仪快速温控方法。

背景技术

近红外光谱仪一般都采用InGAs检测器，该检测器具有高探测率和低暗电流的特点，能在室温下稳定工作,通常组件内集成一只热电制冷器(TE)为芯片提供适宜的温度。InGaAs检测器达到室温需要的时间，一般都是靠仪器提前开机预热的方法解决，一般都是预热30-60min。但是对于室外低温工作的近红外光谱仪，InGaAs检测器却没有很好的加热措施,导致近红外光谱仪预热时间延长至3个小时。甚至长时间不能达到InGiaAs检测器的适宜温度。

发明内容

（一）解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种近红外光谱仪快速温控方法，解决了室外低温工作的近红外光谱仪，InGaAs检测器却没有很好的加热措施,导致近红外光谱仪预热时间长的问题。

（二）技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：

一种近红外光谱仪快速温控方法，包括近红外光谱仪，所述近红外光谱仪内设置有升温模块、温控模块、定时模块，所述升温模块采用高温纳米陶瓷技术，所述温控模块包括数字温控芯片，所述定时模块包括脉冲定时器；

优选的，所述高温纳米陶瓷技术即在电热元件喷涂0.05-0.1mm高温纳米陶瓷涂层，升温后与元件形成一体，对元件起到热保护（如氧化、腐蚀），降低导热热阻；工作时吸收不同波长热量，再以近红外线至远红外线波长区域内热量辐射出去，提高发热元件的表面发射率相当于提高点热效率，温度在60-1500摄氏度范围内，高温纳米陶瓷涂层稳定发射率为0.95，而普通发热元件表面发射率介于0.5-0.8之间。

优选的，所述数字温控芯片确保装置达到工作温度后，进行恒温任务，使近红外光谱仪的InGaAs检测器在安全温度范围。

优选的，所述脉冲定时器是当输入条件00000为ON后，定时器即时动作，但经过定时器所设定的时间后，即使输入条件00000仍为ON，定时器却变为OFF状态；即这种定时器ON状态的维持时间是由设定值决定的；如果00000为ON的时续时间小于定时器的设定值，定时器的ON状态维持时间为输入条件00000为ON的持续时间。

优选的，所述升温模块采用单独电源，不影响近红外光谱仪的系统工作。

优选的，所述数字温控芯片型号为STM32F103ZGH6。