[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，包括：

彼此竖直堆叠的多个沟道构件，和

邻接所述多个沟道构件的第一源极/漏极部件；

第二晶体管，设置在所述第一晶体管上方，包括：

鳍结构，和

邻接所述鳍结构的第二源极/漏极部件；以及

导电部件，电连接所述第一源极/漏极部件和所述第二源极/漏极部件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一晶体管还包括包围在所述多个沟道构件中的每一个周围的第一栅极结构，

其中，所述第二晶体管还包括包围在所述鳍结构上方的第二栅极结构，

其中，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构接触。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个沟道构件包括硅(Si)，

其中，所述鳍结构包括硅锗(SiGe)。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述多个沟道构件包括硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、二硫化钼(MoS₂)、二硒化钨(WSe₂)或二碲化铪(HfTe₂)，

其中，所述鳍结构包括硅(Si)、锗(Ge)、硅锗(SiGe)、二硫化钼(MoS₂)、二硒化钨(WSe₂)或二碲化铪(HfTe₂)。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述导电部件延伸穿过所述第二源极/漏极部件。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述导电部件延伸穿过所述第一源极/漏极部件。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一晶体管还包括设置在所述第一源极/漏极部件上方的第一源极/漏极接触件，

其中，所述第二晶体管还包括设置在所述第二源极/漏极部件上方的第二源极/漏极接触件，

其中，所述导电部件与所述第一源极/漏极接触件和所述第二源极/漏极接触件直接接触。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，

其中，所述第一晶体管还包括设置在所述第一源极/漏极部件下方的第三源极/漏极接触件，

其中，所述第二晶体管还包括设置在所述第二源极/漏极部件上方的第四源极/漏极接触件，

其中，所述导电部件与所述第三源极/漏极接触件和所述第四源极/漏极接触件直接接触。

9.一种半导体器件，包括：

第一晶体管，包括：

第一源极部件和第一漏极部件，和

彼此竖直堆叠并且在所述第一源极部件和所述第一漏极部件之间延伸的多个沟道构件；以及

第二晶体管，设置在所述第一晶体管上方，包括：

第二源极部件和第二漏极部件，和

在所述第二源极部件和所述第二漏极部件之间延伸的鳍结构，

其中，所述第二源极部件直接位于所述第一源极部件上方，

其中，所述第二漏极部件直接位于所述第一漏极部件上方。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

在第一衬底上形成第一晶体管，其中，所述第一晶体管包括：

第一源极部件和第一漏极部件，

彼此竖直堆叠并且在所述第一源极部件和所述第一漏极部件之间延伸的多个沟道构件，和

包围在所述多个沟道构件中的每一个周围的第一栅极结构；

在所述第一晶体管上方沉积第一钝化层；

在第二衬底上方形成外延层；

在所述外延层上方沉积第二钝化层；

将所述第二钝化层接合至所述第一钝化层；

接合后去除所述第二衬底；

图案化所述外延层以在所述多个沟道构件上方形成鳍结构；以及

形成第二栅极结构以包围在所述鳍结构上方，其中，所述第二栅极结构与所述第一栅极结构接触。