[发明专利]一种钛合金蚀刻液组合物及其使用方法

说明书

本发明提供了一种钛合金蚀刻液组合物及其使用方法。所述组合物包括主剂和辅剂。本发明通过主剂和辅剂相互配合，选用特定质量含量不同的化合物或其组合，与不同金属或金属氧化物发生化学反应，使其变为可溶性的金属盐，具备较高的铜离子负载能力，能够达到良好的蚀刻形貌。

技术领域

本发明涉及金属表面化学处理领域，具体涉及一种钛合金蚀刻液组合物及其使用方法。

背景技术

随着信息产业飞速发展，液晶显示器由于具有高响应度、高亮度、高对比度等优点被广泛应用于手机、电视、笔记本电脑等显示设备。薄膜晶体管液晶显示器技术是一种微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的技术。需要对进行薄膜晶体管(TFT)阵列的加工。蚀刻工艺是目前制造薄膜晶体管(TFT)不可缺少的重要步骤。尤其是随着电子产品的小型化、数字化、多功能化，以及电子元件向高集化发展，人们对于液晶显示器的要求也越来越高。

在线路板的制作过程中，蚀刻液起到了非常重要的作用，但传统对钛或者钛合金膜层的蚀刻药液需要添加氢氟酸，会对比例基板和半导体层造成损伤，同时相较于传统含氟体系，废液处理成本较高。除此之外，不同金属膜层间容易因电化学反应产生裂缝，存在倒角等问题也会导致后续工艺爬坡断线，影响良率。如何在保护环境，节省成本的同时制备出铜离子负载高，精度好，蚀刻形貌优良的处理铜/钛金属蚀刻液成为当前亟需解决的问题。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明的第一个方面提供了一种钛合金蚀刻液组合物，所述组合物包括主剂和辅剂。

作为一种优选的技术方案，所述钛合金为铜/钛合金金属。

作为更进一步的一种优选的技术方案，所述铜/钛合金金属金属膜层为铜/钼钛镍。

作为一种优选的技术方案，所述主剂原料包括：按质量百分比，过氧化氢1-20％，无机酸0.01-5％，有机酸1-15％，碱类化合物1-15％，双氧水稳定剂0.01-5％，金属缓蚀剂0.01-1％，电化学抑制剂0.001-1％，溶剂补充余量。

作为更进一步的一种优选的技术方案，所述主剂原料包括：按质量百分比，过氧化氢8-12％，无机酸0.01-3％，有机酸2-8％，碱类化合物2-8％，双氧水稳定剂0.05-2％，金属缓蚀剂0.01-0.3％，电化学抑制剂0.001-0.5％，溶剂补充余量。

作为一种优选的技术方案，所述辅剂原料包括：按质量百分比，无机酸0.1-5％，有机酸10-40％，碱类化合物10-40％，金属缓蚀剂0.01-1％，电化学抑制剂0.01-3％，溶剂补充余量。

作为更进一步的一种优选的技术方案，所述辅剂原料包括：按质量百分比，无机酸0.1-3％，有机酸10-30％，碱类化合物10-30％，金属缓蚀剂0.03-0.5％，电化学抑制剂0.1-1％，溶剂补充余量。

作为一种优选的技术方案，所述主剂中的过氧化氢由双氧水提供。

作为一种优选的技术方案，所述主剂和辅剂中的无机酸均包括硫酸、硝酸的一种或几种。

作为一种优选的技术方案，所述主剂和辅剂中的有机酸均选自羧酸类有机酸。

作为一种优选的技术方案，所述羧酸类有机酸包括氨基甲酸、氨基乙酸、乙二酸、丙二酸、丁二酸、苹果酸、柠檬酸、亚氨基二乙酸、次氨基三乙酸、酒石酸的一种或几种。

作为更进一步的一种优选的技术方案，所述羧酸类有机酸为丙二酸与其他羧酸类有机酸复配。

作为一种优选的技术方案，所述主剂和辅剂中的碱类化合物均包括氨水、有机碱的一种或几种。

作为一种优选的技术方案，所述有机碱选自胺类和醇胺类化合物。