[发明专利]光调制器

权利要求书

1.一种光调制器，该光调制器包括：

缝隙部，该缝隙部形成于设置在基板上的第一导轨和与所述第一导轨平行地设置在所述基板上的第二导轨之间；

光波导，该光波导通过在所述缝隙部中填充电光材料而形成；

第一平板，该第一平板电连接所述第一导轨和第一电极并设置在所述基板上；以及

第二平板，该第二平板电连接所述第二导轨和第二电极并设置在所述基板上，其中，

所述第一平板包括电连接到所述第一电极的第一局部平板以及电连接所述第一导轨和所述第一局部平板的第二局部平板，并且与所述第一导轨的厚度尺寸相比，将所述第二局部平板相对于所述基板的表面的厚度尺寸被设置为更小，并且

所述第二平板包括电连接到所述第二电极的第三局部平板和电连接所述第二导轨和所述第三局部平板的第四局部平板，并且与所述第二导轨的厚度尺寸相比，所述第四局部平板相对于所述基板的表面的厚度尺寸被设置为更小。

2.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

所述第一导轨相对于所述基板的表面的厚度尺寸被设置为所述第二局部平板相对于所述基板的表面的厚度尺寸的三倍以上，并且

所述第二导轨相对于所述基板的表面的厚度尺寸被设置为所述第四局部平板相对于所述基板的表面的厚度尺寸的三倍以上。

3.根据权利要求1所述的光调制器，其中，所述光波导是通过在所述缝隙部填充聚合物材料作为所述电光材料而形成的。

4.根据权利要求1所述的光调制器，其中，在所述基板的表面上形成有凹部，并且所述缝隙部形成于所述凹部上。

5.根据权利要求1所述的光调制器，其中，

与形成所述第一导轨和所述第二局部平板的材料的硅的掺杂浓度相比，形成所述第一局部平板的材料的硅的掺杂浓度被设置为更高，并且

与形成所述第二导轨和所述第四局部平板的材料的硅的掺杂浓度相比，形成所述第三局部平板的材料的硅的掺杂浓度被设置为更高。

6.一种光调制器，该光调制器包括：

第一缝隙部，该第一缝隙部形成于设置在基板上的第一导轨和与所述第一导轨平行地设置在所述基板上的第二导轨之间；

第一光波导，该第一光波导通过在所述第一缝隙部中填充电光材料而形成；

第二缝隙部，该第二缝隙部形成于设置在所述基板上的第三导轨和与所述第三导轨平行地设置在所述基板上的第四导轨之间；

第二光波导，该第二光波导通过在所述第二缝隙部中填充所述电光材料而形成；

第一平板，该第一平板电连接所述第一导轨和第一负电极并且被设置在所述基板上；

第二平板，该第二平板电连接所述第四导轨和第二负电极并且被设置在所述基板上；以及

第三平板，该第三平板电连接所述第二导轨和正电极，电连接所述第三导轨和所述正电极，并且设置在所述基板上，其中，

所述第一平板包括电连接到所述第一负电极的第一局部平板和电连接所述第一导轨和所述第一局部平板的第二局部平板，并且与所述第一导轨的厚度尺寸相比，所述第二局部平板相对于所述基板的表面的厚度尺寸被设置为更小，

所述第二平板包括电连接至所述第二负电极的第三局部平板和电连接所述第四导轨和所述第三局部平板的第四局部平板，并且与所述第四导轨的厚度尺寸相比，所述第四局部平板相对于所述基板的表面的厚度尺寸被设置为更小，并且

所述第三平板包括电连接到所述正电极的第五局部平板、电连接所述第二导轨和所述第五局部平板的第六局部平板、以及电连接所述第三导轨和所述第五局部平板的第七局部平板，并且与所述第二导轨的厚度尺寸相比，所述第六局部平板相对于所述基板的表面的厚度尺寸被设置为更小，并且与所述第三导轨的厚度尺寸相比，所述第七局部平板相对于所述基板的表面的厚度尺寸被设置为更小。