[发明专利]光调制器在审
申请号: | 202110160560.3 | 申请日: | 2021-02-05 |
公开(公告)号: | CN113495396A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 若林和行;赤司保;大谷俊博 | 申请(专利权)人: | 富士通光器件株式会社 |
主分类号: | G02F1/225 | 分类号: | G02F1/225 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 赵彤;刘久亮 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 调制器 | ||
一种光调制器,该光调制器包括光波导、第一平板和第二平板。光波导是通过在形成于第一导轨和与第一导轨平行地设置的第二导轨之间的缝隙部中填充电光材料而形成的。第一平板包括电连接到第一电极的第一局部平板和电连接第一导轨和第一局部平板的第二局部平板。在第一平板中,与第一导轨的厚度尺寸相比,第二局部平板的厚度尺寸被设置为更小。第二平板包括电连接到第二电极的第三局部平板和电连接第二导轨和第三局部平板的第四局部平板。在第二平板中,与第二导轨的厚度尺寸相比,第四局部平板的厚度尺寸被设置为更小。
技术领域
本文讨论的实施方式涉及光调制器。
背景技术
LiNbO3(铌酸锂)是已知在光调制器中所使用的电光材料。然而,近年来,已经需要适合于大容量高速光通信性能的电光材料。因此,作为代替LiNbO3的新型电光材料,例如,已知诸如EO聚合物之类的电光型有机材料。
EO聚合物比LiNbO3具有更高的电光效应和宽带特性。因此,已经期望EO聚合物作为用于64G波特(Gbaud)以上的超高速光通信的电光材料的预期候选者。
[专利文献1]国际公开第WO 2016/092829号
[专利文献2]日本特开第2007-25370号公报
然而,在EO聚合物中,光的折射率低至约1.6至1.8。因此,在常规光波导结构中,EO聚合物不适合于会聚光。在光波导结构中发生光的泄漏。结果,由于光波导结构的光的泄漏,不仅光损耗而且相位调制光信号时的驱动电压也增加。
因此,本发明实施方式的一个方面的目的是提供一种能够抑制驱动电压和光损耗的光调制器。
发明内容
根据实施方式的一个方面,一种光调制器,该光调制器包括缝隙部、光波导、第一平板和第二平板。缝隙部形成于设置在基板上的第一导轨和与第一导轨平行地设置在基板上的第二导轨之间。光波导是通过在缝隙部中填充电光材料而形成的。第一平板电连接第一导轨和第一电极并设置在基板上。第二平板电连接第二导轨和第二电极并设置在基板上。第一平板包括电连接到第一电极的第一局部平板和电连接第一导轨和第一局部平板的第二局部平板。与第一导轨的厚度尺寸相比,第二局部平板相对于基板的表面的厚度尺寸被设置为更小。第二平板包括电连接到第二电极的第三局部平板和电连接第二导轨和第三局部平板的第四局部平板。与第二导轨的厚度尺寸相比,第四局部平板相对于基板的表面的厚度尺寸被设置为更小。
附图说明
图1是例示第一实施方式中的光调制器的示例的平面图;
图2是图1的A-A线截面图;
图3是第一实施方式的平板的立体图;
图4A是例示光调制器的制造过程的示例的说明图;
图4B是例示光调制器的制造过程的示例的说明图;
图4C是例示光调制器的制造过程的示例的说明图;
图5A是例示光调制器的制造过程的示例的说明图;
图5B是例示光调制器的制造过程的示例的说明图;
图5C是例示光调制器的制造过程的示例的说明图;
图6是例示光调制器在转态(polling)期间的动作的示例的说明图;
图7是例示光调制器在操作期间的动作的示例的说明图;
图8是例示图7所示的光调制器的等效电路的示例的说明图;
图9是例示光调制器的尺寸的示例的说明图;
图10是例示光调制器的光模式分析结果的示例的说明图;
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